KIST 연구진 '스커미온' 직진운동 규명...초저전력 차세대 스핀 메모리 구현 기여

 

최근 국내 연구진이 '스커미온 직진운동'을 규명했다. 스커미온 기반의 차세대 초저전력 스핀 메모리 구현에 기여할 것이라는 분석이 높다.

12일 한국과학기술연구원(KIST)에 따르면 스핀융합연구단 우성훈 박사팀은 강자성체와 반강자성체의 중간 형태인 ‘페리자성체(ferrimagnetic)‘를 사용, 기존에 이론으로만 제시됐던 높은 직진성 및 이동효율을 보이는 스커미온의 움직임을 세계 최초로 구현했다.

스커미온을 사용해 메모리 소자를 구동하기 위해서는 개개의 스커미온의 위치를 정확히 컨트롤할 수 있어야 한다. 이러한 위치조정을 위해서는 외부 전류를 이용하여 스커미온을 원하는 위치로 이동시키는, 즉 전류방향 그대로의 스커미온 직진 운동이 핵심 기술로 요구된다.

우 박사팀의 이번 연구 결과는 학계에서 매우 큰 관심을 받고 있는 스커미온이 실제 메모리 소자에 적용되기 위한 핵심 기술로 꼽힌다. 향후 스커미온 기반의 초저전력 메모리를 구현하는 데 큰 기여를 할 것으로 예상된다.

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우 박사는 "4차 산업혁명과 함께 고성능 고용량 전자소자들이 매우 빠른 속도로 출현함에 따라 초저전력 메모리 소자의 개발은 현재 매우 절실한 이슈로 자리 잡고 있다"며 "본 연구를 통해 개발한 스커미온 메모리 핵심 기술은 향후 실제 스커미온 기반의 초저전력 스핀 메모리 소자 구현 및 관련 산업 전반에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

한편 이번 연구는 과학기술정보통신부 지원의 KIST 기관고유사업과 삼성전자 미래기술육성센터 지원 사업으로 수행됐다. 국제 학술지 '네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications, IF: 12.124)' 최신호에 온라인 게재됐다.