삼성전자, 美에 차세대 3D D램 연구개발 조직 신설

삼성전자가 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 메모리 연구개발(R&D) 조직을 신설해 초격차 기술 경쟁력 확보에 나선다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 만들었다. 이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 예정이다. 실리콘밸리 우수 인력을 적극적으로 영입하고 다양한 반도체 생태계와 협력에 나선다.

최근 메모리 업계는 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어난 3D D램 개발에 주력하고 있다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다. 

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작년 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 삼성전자는 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝힌 바 있다. 또한 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표하면서 3D D램의 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시한 바 있다.

삼성전자가 지난해 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'에서 공개한 HBM3E D램. [사진=연합뉴스]