삼성전자는 30일 열린 지난해 4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "파운드리 관련 극자외선(EUV) 누광기술을 적용한 7나노를 작년부터 업계 최초로 양산하기 시작했다"며 "올해는 EUV의 생산성을 극대화한 5나노에서 고객 응용처를 다변화해서 양산을 확대하고, 4나노의 설계 완료를 통해 선단 공정 기술 리더십을 이어갈 예정"이라고 밝혔다.
이어 "차세대 아키텍처인 게이트올어라운드(GAA)의 성능과 파워 이점을 극대화할 수 있도록 설계 인프라 스트럭처 강화에 집중하겠다"고 덧붙였다.
이어 "차세대 아키텍처인 게이트올어라운드(GAA)의 성능과 파워 이점을 극대화할 수 있도록 설계 인프라 스트럭처 강화에 집중하겠다"고 덧붙였다.