SK하이닉스, 미국 법인서 '2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄' 개최

SK하이닉스가 18일(현지시간) 산호세에 위치한 미국 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다. [사진=SK하이닉스 제공]

아주경제 이혜림 기자 = SK하이닉스는 18일(현지시간) 산호세에 위치한 미국 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다고 19일 밝혔다.

이번 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여 개 주요고객 및 파트너 업체에서 100여 명이 참여해 SK하이닉스의 HBM 기술에 대한 큰 관심을 드러냈다.

SK하이닉스는 지난해 말 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 이어 이번 심포지엄을 개최해 중장기 HBM 로드맵을 소개함으로써 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

특히 SK하이닉스의 HBM 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 이번 심포지엄에 의미를 더했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저 위에, SoC와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋·파운드리·패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.

관련기사

• SK그룹, 도전과 R&D로 '기업가치 300조' 넘본다
• 반도체 낸드플래시 시장, SK하이닉스 등 M&A 활기

SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.

SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 강선국 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다”며 “협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해나가겠다”고 말했다.