SK키파운드리는 모바일 및 전력 반도체 성능을 향상시킬 수 있도록 개선된 4세대 0.18㎛(마이크로미터) BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다.
4세대 공정은 기존 3세대 대비 성능이 20% 향상됐으며, 3.3V(볼트), 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공한다.
또한 트리밍용 MTP·OTP 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다.
특히 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125도 고온 환경에서 집적회로(IC) 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 1등급을 만족했다.
또 굵은 인터 메탈 다이얼렉트릭(Thick IMD) 옵션 제공을 통해 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터제품 설계 또한 가능하다.
이동재 SK키파운드리 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.