삼성전자, 7조5000억원 규모 시안 반도체 2기 라인 건설 '첫삽'... 내년 완공 목표

유진희 기자 2018-03-28 11:00

삼성전자가 내년 완공을 목표로 중국 시안 반도체 2기 라인 건설의 ‘첫삽’을 떴다.

총 70억 달러(7조5000억원) 규모의 이번 투자로 3D(3차원) 낸드플래시(V-NAND) 수요 증가에 대응하고, 중국 지역경제 활성화와 글로벌 IT(정보기술)시장 성장에 기여한다는 계획이다.

삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 김기남 삼성전자 DS부문장(사장), 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장 등이 참석한 가운데 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을 실시했다고 밝혔다.

이날 김 사장은 기념사를 통해 “시안 반도체 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산할 것”이라며 “이를 바탕으로 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT시장 성장 지속에도 힘쓰겠다"고 강조했다.

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류궈중 성장도 축사를 통해 "시안 반도체 2기의 착공을 축하한다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 전했다.

앞서 2017년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성과 MOU(양해각서)를 체결한 바 있다. 중국을 비롯한 글로벌 낸드플래시 수요에 적극 대응하기 위해서다. 중국은 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중돼 있어, 세계 최대 낸드플래시의 수요처로 자리매김하고 있다.

삼성전자가 시안 반도체 사업장의 확장에 투자를 아끼지 않는 이유다. 이들은 시안 반도체 사업장에 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 낸드플래시 양산, 2015년 후공정 라인 완공, 올해 2기 라인 증설까지 꾸준한 투자를 이어오고 있다.

업계 관계자는 “삼성전자의 시안 반도체 사업장에 대한 투자는 삼성전자뿐만 아니라 현지 지역경제 활성에도 큰 도움이 되고 있다”며 “특히 이번 추가 투자로 시안시를 비롯한 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다”고 말했다.