삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 차세대 '8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)' 모바일 D램을 양산했다고 23일 밝혔다.
'20나노 8기가비트 LPDDR4' 모바일 D램은 1기가바이트(8Gb = 1GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 구성할 수 있는 제품으로 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다.
특히 삼성전자는 내년 美 라스베이거스에서 열리는 'CES 2015'에서 '4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램'으로 혁신상을 수상하며, 메모리 업계에서는 유일하게 모바일D램으로 3년 연속 혁신상을 수상함으로써 차별화된 기술 경쟁력을 인정받았다.
삼성전자는 지난 9월 20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램을 양산한 지 3개월 만에 8기가비트 LPDDR4를 내놓으며 글로벌 모바일 고객들에게 한 차원 높은 '초고속, 초절전, 고용량' 솔루션을 제공할 수 있게 됐다.
한편 삼성전자는 금년에 글로벌 모바일기기 제조업체들의 하이엔드(High-End) 제품 출시에 맞춰 2기가·3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급하고, 내년에는 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급해 업계 최대의 라인업을 더욱 확대할 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 "8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객들이 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 되었다"며, "향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 OS 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공할 것"이라고 강조했다.
삼성전자는 업계 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용, 모바일용 8기가비트 D램을 생산하고 있으며, 향후 20나노 D램 라인업의 생산 비중을 더욱 높여 사업 위상을 강화하고, 프리미엄 D램 시장의 성장세를 지속적으로 주도해 나갈 계획이다.