​삼성전자 “차세대 낸드에 더블스택 적용…256단까지도 가능”

삼성전자가 차세대 V낸드(메모리 반도체)에 ‘더블 스택’ 기술을 도입해 256단 적층까지 가능하다고 밝혔다.

1일 삼성전자에 따르면 한진만 메모리사업부 마케팅팀 전무는 지난달 30일 열린 ‘삼성전자 투자자 포럼 2020’에서 “차세대 V낸드에 더블 스택 기술을 적용할 예정”이라며 이같이 말했다. 삼성전자는 내년께 7세대 V낸드를 양산할 계획이다.

현재 6세대 V낸드는 싱글 스택 기술로 128단을 적층하는데, 더블 기술을 적용할 경우 256단 적층까지 가능하다.

낸드플래시는 기본 저장 단위인 ‘셀’을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술력으로, 쌓아 올리는 단 수를 늘릴수록 저장할 수 있는 데이터 양이 많아진다.

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더블 스택 기술은 싱글 스택 기술보다 적층 수를 빠르게 높일 수 있지만, 더 많은 공정 과정이 들어가 단가가 올라간다는 단점이 있다.

한 전무는 “실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것”이라며 “얼마나 쌓을 수 있느냐가 아니라 현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐의 문제”라고 말했다.

또 “낸드플래시 수요는 스마트폰 5G 전환과 서버 SSD 수요로 2024년까지 약 30∼35％ 규모의 연평균 성장률을 보이고, D램은 모바일과 서버를 중심으로 15∼20％의 연평균 성장률을 나타낼 것”이라고 말했다.

그러면서 “신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)은 고통스러운 경험이었지만, 디지털 전환을 가속해 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 수요를 높였다”며 “삼성의 차별화된 극자외선(EUV) 시스템을 기반으로 첨단 공정을 선도하고, 시장의 높은 수요에 부응할 것”이라고 강조했다.
 

[사진=삼성전자 제공]