삼성전자, D램 한계 다시 넘다

3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램. [사진=삼성전자 제공]

삼성전자가 21일 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) 더블데이터레이트(DDR)4 D램' 개발에 성공하며 스스로 세운 '최초' 기록을 또 한번 경신했다.

2016년 2월 세계 최초로 1세대 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산에 성공하며 10나노대 진입을 알린 데 이어 2세대와 3세대까지 잇달아 생산하며 독보적인 경쟁력을 갖췄다는 평가다.

삼성전자는 1984년 반도체 시장에 뛰어든 이후 20년 이상 메모리반도체 시장에서 업계 1위를 기록하고 있다. 2009년에는 40나노급 D램을 세계 최초로 만들었고 이후 2010년 30나노, 2011년 20나노, 2016년에는 10나노대 진입에 성공했다. 특히 경쟁 업체들이 10나노급 D램 양산에 어려움을 겪고 있어 그 의미가 더욱 크다.

10나노는 삼성전자가 반도체 회로 선폭을 10나노까지 좁혀 생산할 수 있다는 뜻이다. 선폭의 앞에 붙는 숫자가 작아질수록 그만큼 성능이 더 좋은 칩을 더 적은 비용으로 만들 수 있다.

이번에 개발한 3세대 제품은 초고가 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 이전 세대 대비 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 작동속도가 상승하면서 전력 효율이 더욱 개선된 것이 특징이다.

삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 중앙처리장치(CPU) 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다고도 밝혔다. 이로써 글로벌 정보기술(IT) 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다.

삼성전자는 올해 하반기에 양산에 돌입한다는 방침이다. 이와 함께 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5·LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

실제로 삼성전자는 고객사들의 공급 요구 수준을 반영, 경기도 평택의 최신 D램 생산라인에서 주력 제품의 생산 비중을 확대하고 있다. 특히 내년에는 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영해 평택 생산라인에 안정적인 양산 체제를 구축하기로 했다.

또 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속·초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세를 이끌어 나가겠다"고 말했다.

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