김기남 삼성전자 사장 "10나노 초반 D램 개발도 무난"

김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장[사진=삼성전자 제공 ]

아주경제 박선미 기자 = 김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장이 10나노 초반대의 D램 개발에 자신감을 드러냈다. 

김 사장은 6일 서울 삼성 서초사옥에서 열린 수요 사장단회의에 참석하기에 앞서 기자들과 만나 "10나노 초반대 D램 개발도 무난하겠느냐"는 물음에 "그렇다"고 답했다.

전일 삼성전자는 2월부터 세계 최초 크기의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 양산했다고 밝혔다. 반도체 미세 기술의 한계로 여겨지던 '10나노 시대'로 진입한 것이다.

김 사장은 이전에도 수차례 '반도체 기술의 한계는 없다'고 강조한 바 있다.

관련기사

• 정명근 화성시장, 네덜란드ASM·ASML방문...반도체산업 협력 강화
• 삼성전자, 3분기 반도체 영업이익 3조8600억원…"일회성 비용·달러 약세 영향"

1나노미터(nm)는 10억분의 1m로 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로 쓰인다. 숫자가 작을수록 속도는 빨라지고 소비전력은 줄어든다.

한편 SK하이닉스는 지난해 10월부터 20나노 초반대(2z급) D램을 양산하고 있다. 미국의 마이크론은 20나노 초반대 공정으로 아직 완전히 넘어오지 못했다.