아주경제 한아람 기자 = 심상필 삼성전자 S.LSI제조센터 미국SAS법인 상무가 4일 전무로 2년 발탁 승진했다.
심 신임 전무는 반도체 공정개발 전문가로 세계 최초 14나노 FinFET 공정개발 및 양산을 주도하여 시스템LSI 사업의 일류화에 공헌했다는 평가를 받고 있다.
[심상필 삼성전자 신임 전무 이력]
1965년생
▲ 학력
-동신고등학교 졸업
-서울대학교 전자전기공학 학사
-KAIST 전기전자공학 석·박사
▲ 현재 직책
심상필 삼성전자 S.LSI제조센터 미국SAS법인 상무
▲ 주요 경력
-1988년 삼성전자 반도체 연구소 TD팀
-2003년 삼성전자 메모리사업부 차세대연구팀
-2007년 삼성전자 IMEC(Interuniversity Micro Electronics Center) 컨소시엄 파견
-2009년 삼성전자 반도체연구소 로직 TD팀
-2013년 삼성전자 S.LSI사업부 PI팀
-2014년 삼성전자 S.LSI제조센터 YE팀
-2015년 (現)삼성전자 S.LSI제조센터 미국 SAS 법인 상무