삼성전자, 국제반도체대전서 '3차원 V낸드' 선봬

아주경제 이혜림 기자= 삼성전자는 경기도 일산 킨텍스에서는 국제반도체대전(i-SEDEX)에서 지난 8월 양산에 들어간 3차원(3D) 수직구조의 V낸드(NAND)를 선보인다고 6일 밝혔다.

이 제품은 10나노미터급 공정기술의 한계를 뛰어넘어 새로운 메모리반도체 시대를 열었다는 평가를 받고 있다.

3D V-낸드는 기존 20나노급 낸드플래시보다 셀 수명이 10배, 쓰기속도는 2배나 높으면서도 소비전력은 절반에 불과한 혁신제품으로 웨이퍼당 칩 생산량이 2배 이상 높아 향후 생산성과 성능을 지속 향상시킬 수 있을 것으로 기대를 모으고 있다.

삼성전자는 이번 전시회에서 3D V-낸드를 적용한 데이터센터용 차세대 SSD 제품군(SV843T)도 처음 공개했다. 또 SSD 대중화를 위해 전용 브랜드를 적용한 ‘840 EVO’ 제품과 울트라북용 PCIe 인터페이스 기반의 대용량 제품(XP941) 등 업계 최대 규모 SSD 제품군을 선보였다.

시스템반도체 분야에서는 최고의 그래픽 성능을 구현한 모바일 AP ‘엑시노스(Exynos) 5420’을 중심으로 옥타코어의 멀티프로세싱 기능을 체험할 수 있는 자리를 마련했다.

이 밖에도 차세대 CMOS 이미지센서 기술인 ‘아이소셀(ISOCELL)’, 초절전 메모리 솔루션인 ‘20나노급 DDR4 D램’, ‘3GB 고용량 모바일 D램’ 등 혁신적인 반도체 솔루션을 제시했다.