기존 태양전지 제조과정에서는 반사방지막 형성을 위해 실리콘나이트라이드 공정을 단층으로 형성했지만, 이 기술은 실리콘나이트라이드 대신 복층 구조로 이중반사방지막을 형성해 태양전지 표면에서 빛의 반사율을 떨어뜨리는 효과가 있다.
또 태양전지 기본 구조인 P-N 접합 형성 시 선택적 에미터 구조를 적용, n층의 면저항 영역에서 전극부에 해당하는 면저항을 좀 더 낮게 가져감으로써, 단파장 영역에서 빛 에너지의 흡수율을 높였다.
동시에 전극과의 접촉저항을 개선해 전체적인 태양전지의 변환효율 특성을 향상시켰다는 설명이다.
또 신성솔라에너지는 태양전지의 표면 구조 개선을 위해, 기존의 습식화학식 텍스쳐링(Wet chemical texturing)방식 대신 심도반응성 이온식각(Deep Reactive Ion Etching) 방식을 이용, 기판 표면상에 나노팁을 형성해 태양전지 표면 반사율을 낮췄다.
신성솔라에너지 관계자는 “이번 2건의 특허는 변환효율 20% 이상의 고효율 태양전지 기술개발을 위한 신성솔라에너지만의 특화된 공정기술”이라며 “앞으로도 태양광 시장에서 업계를 선도할 수 있도록 선진기술개발에 매진하겠다” 고 밝혔다.