-기존 30나노급 대비 생산성 60% 향상
이달부터 삼성전자가 양산을 시작한 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시. |
지난해 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어 1년이 채 안돼 용량을 두배 늘리고 생산량도 60% 이상 향상한 제품을 양산한 것.
특히 이번 제품은 'Toggle DDR(Double Data Rate) 1.0' 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현한다.
삼성전자는 하나의 칩으로 8GB(기가바이트)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현해 기존 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체, 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 기대하고 있다.
삼성전자 반도체사업부 김세진 상무는 "20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰·태블릿PC·SSD(Solid-State Drive)에 이어, USB플래시드라이브·SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다"고 설명했다.
삼성전자는 향후 낸드플래시 제품에 'Toggle DDR'을 적용해 대용량·고성능 메모리를 원하는 고객의 다양한 요구에 부응하고, 시장 성장을 주도해 나갈 계획이다.
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