​SK하이닉스, 세계 최고 사양 'HBM3E' 개발…내년 양산

SK하이닉스가 다시 한 번 차세대 고대역폭메모리(HBM) 개발에 성공하며 경쟁사와 격차를 벌리게 됐다. 이로써 생성형 인공지능(AI)에 따른 HBM 수요를 선제적으로 공략하는 데 더 유리한 입지를 확보하게 됐다는 평가가 나온다.

21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 AI용 초고성능 D램 신제품 ‘HBM3E’를 개발하는 데 성공했다. 이에 따라 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다. 공식적으로 5세대 HBM을 개발했다고 밝힌 건 SK하이닉스가 처음이다.

HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. 그 가운데 HBM3E는 5세대 제품이다. 다만 5세대는 회사마다 HBM3E 혹은 HBM3P 등 명칭을 다르게 사용하고 있다.

SK하이닉스 측은 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”는 포부다.

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이번 제품은 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다.

특히 속도 측면에서 HBM3E는 데이터를 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량을 1초 만에 처리하는 수준이다.

또 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다.

여기에 하위 호환성도 갖춰 고객은 4세대 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다. 과거 버전 제품과 호환되도록 구성된 IT·컴퓨팅 시스템 내에서 신제품이 별도로 수정이나 변경 없이 그대로 쓰일 수 있는 것을 의미한다.
 
이안 벅(Ian Buck) 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “최선단 가속 컴퓨팅 솔루션스용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해 왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 말했다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받는 HBM 시장에서 제품 라인업 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가가치 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영 실적 반등 흐름이 가속될 것”이라고 말했다.

SK하이닉스 HBM3E [사진=SK하이닉스]