SK하이닉스, IDF 2016서 업계 최고 수준 메모리 솔루션 선봬

SK하이닉스는 지난 16일부터 18일까지 3일간 미국 샌프란시스코 모스콘센터에서 열리는 ‘2016 인텔개발자회의(IDF)’에 참가해 업계 최고 수준의 메모리 솔루션을 선보였다. SK하이닉스 전시관을 방문한 참관객들이 제품을 관람하고 있다.[사진=SK하이닉스 제공]

아주경제 채명석 기자 = SK하이닉스는 지난 16일부터 18일까지 3일간 미국 샌프란시스코 모스콘센터에서 열리는 ‘2016 인텔개발자회의(IDF)’에 참가해 업계 최고 수준의 메모리 솔루션을 선보였다고 밝혔다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 2세대 3D 낸드플래시를 기반으로 한 모바일용 ‘UFS 2.1’ 및 D램과 낸드플래시를 한 모듈에 장착한 서버용 ‘NVDIMM’을 공개했다.

‘UFS2.1’은 직렬 인터페이스 사용으로 읽기·쓰기 동작이 동시에 진행되는 풀 듀플렉스 전송 방식과 커맨드큐 기술을 적용한 낸드플래시 솔루션 제품이다. 초당 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 800MB와 200MB로 동작해 기존 eMMC 5.1보다 세 배 이상 빠른 읽기속도를 제공한다.

SK하이닉스의 ‘UFS 2.1 솔루션’은 자사 2세대 3D 낸드플래시와 컨트롤러를 기반으로 128·64·32GB의 용량을 구현했다. 최근 양산에 들어간 이 제품은 모바일 프로세서와 최적의 호환 기능을 선보일 것으로 기대된다.

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최수환 SK하이닉스 NAND상품기획실장(상무)은 “자사 UFS 2.1을 탑재한 스마트폰 사용자는 8K 화질 및 360도 동영상의 원활한 재생, RAW 이미지 포맷의 연사 기능 사용 등 다양한 첨단 기능을 누릴 수 있을 것으로 예상된다”며 “플래그십 스마트폰 위주로 탑재를 시작한 UFS는 2018년에 절반 이상의 스마트폰에서 사용될 것”이라고 말했다.

비휘발성 하이브리드 D램 모듈인 16GB(기가바이트) DDR4 NVDIMM은 D램과 낸드 플래시를 한 모듈 안에 결합한 것이 특징이다. 예상치 못한 전원손실이 발생하는 경우에도 D램의 데이터를 순간적으로 낸드플래시로 전송함으로써, 데이터를 안전하게 저장 및 복구할 수 있는 장점이 있다. 고속 데이터 처리 뿐만 아니라 한 차원 높은 데이터 안정성을 요구하는 서버 고객들에게 특화된 솔루션으로 제공될 예정이다. SK하이닉스는 JEDEC 표준인 본 제품을 샘플링 하기 시작했으며, 연내에 양산하겠다는 계획과 빠른 시일 내 32GB 모듈 제품의 개발도 마무리한다는 계획을 밝혔다.

한편, IDF는 인텔이 매년 상·하반기 개최하는 미래 기술 혁신을 위한 최신 IT 정보와 관련 제품을 개발자 및 파트너들과 공유하고 토론하는 행사다.

‘당신이 미래를 만든다(The Future is What you Make)’로 진행된 2016 IDF는 SK하이닉스를 비롯해 델, 에릭슨, 레노보, 삼성, 시스코 등 200여개의 기업과 6000여 명의 인파가 행사장을 찾았다.

SK하이닉스측은 “이번 행사에서 사물인터넷(IoT) 사업의 폭발적인 성장과 더불어 그 중심에 있는 데이터센터를 위한 메모리 솔루션을 중점적으로 소개했다”면서 “생활 전반에 걸친 커넥팅이 증가하면 증가할수록 데이터센터는 구심점이 되고, 방대한 트래픽을 처리하기 위한 성능과 안정성이 지속적으로 중요해지기 때문”이라고 설명했다.

이어 “SK하이닉스는 지난 4월에 중국 선전에서 열린 IDF 2016 상반기 행사에서도 2세대 3D 낸드플래시 기반의 1TB급 NVMe 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 선보인 바 있으며, 이번 하반기 행사에서도 경쟁력 있는 메모리 솔루션 출시를 이어가며 기술적 진보를 알렸다. 앞으로도 D램과 낸드플래시를 기반으로 한 업계 최고 수준의 제품을 지속 출시해 시장경쟁력 및 고객 관계 강화에 집중해 급변하는 반도체 시장을 선도해나갈 예정이다”고 전했다.