삼성전자, 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 인텔인증 획득

삼성전자가 50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 밝혔다.

이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM (Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다.

또한 서버용 8기가바이트(GB), 16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가 중으로, 내년 초에 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 전 제품의 인증이 완료될 예정이다.

50나노급 2기가비트 DDR3는 지난해 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 속도를 구현하고, 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다.

또한 1기가비트 DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을 절감할 수 있고, 시스템 작동 시 발열량이 크게 줄었다.

삼성전자 관계자는 “이번 공식 인증으로 노트북 및 서버 시장에서 2기가 DDR3 D램 제품은 안정적 채용 기반을 확보했으며 본격적인 수요 증가가 예상된다”며 “ 앞으로도 삼성은 D램 시장을 확대하고 시장 선점을 통해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다”고 말했다.

 김형욱 기자 [e-mail]
< '아주경제' (ajnews.co.kr) 무단전재 배포금지>