SK하이닉스가 8단, 12단 적층에 이어 16단 HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) D램 양산을 위한 준비를 마치고 내년 초 엔비디아 등 고객사에 샘플칩을 전달할 계획이라고 밝혔다. 글로벌 1위 인공지능(AI) 메모리 회사라는 입지를 다지기 위한 공격적인 행보로 풀이된다. 당초 업계 예측과 달리 16단 적층에는 하이브리드 본딩 대신 기존 첨단 MR-MUF 기술을 지속해서 활용할 방침이다.
곽노정 SK하이닉스 대표는 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 SK AI서밋 2024 행사 기조강연자로 올라와 '넥스트 AI 메모리, 하드웨어 투 에브리웨어'라는 주제로 SK하이닉스의 차세대 AI 메모리 전략에 관해 설명했다.
그러면서 AI 시대를 대비하기 위한 SK하이닉스의 차세대 메모리 제품군 소개를 이어갔다.
곽 대표는 먼저 16단 HBM4(6세대) D램 개발에 앞서 16단 적층에 관한 양산 기술과 노하우를 확보하기 위해 칩당 용량이 48GB(기가바이트)에 달하는 16단 HBM3E를 개발해 내년 초 고객에게 샘플 칩을 전달하겠다고 밝혔다.
SK하이닉스는 16단 칩 적층에 양산 능력이 검증된 첨단 MR-MUF(보충재 충전) 공정을 활용하기로 했다. 이와 함께 백업 공정으로써 칩과 칩을 바로 결합하는 하이브리드 본딩 기술 개발도 이어가겠다고 덧붙였다.
곽 대표는 "내부 분석결과 16단 HBM3E는 12단 제품보다 AI 학습 속도는 18%, 추론 속도는 32% 더 빠른 것으로 조사됐다"며 "향후 추론용 AI 가속기(GPU) 시장이 커질 것으로 예측되는 만큼 16단 제품은 세계 1위 AI 메모리 기업이라는 SK하이닉스의 위상을 더욱 공고히 해줄 것으로 기대된다"고 설명했다.
그러면서 "HBM4부터 D램 칩을 제어하는 베이스 다이에 로직 공정을 도입할 예정"이라며 "이를 위해 글로벌 1위 파운드리(위탁생산) 업체인 TSMC의 원팀 파트너십을 한층 강화할 것"이라고 덧붙였다.
마지막으로 곽 대표는 "향후 AI 메모리 시장은 고객이 원하는 용량과 대역폭, 부가기능 등을 갖춘 커스텀 HBM이 새로운 패러다임으로 떠오를 전망"이라고 내다봤다.
SK하이닉스는 이외에도 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 예측되는 저전력 LPCAMM2 모듈과 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6 D램 개발 소식도 함께 알렸다. 낸드의 경우 PCI익스프레스 6세대 기반 SSD와 대용량 QLC(4비트셀) 기업용 SSD, UFS 5.0을 준비하고 있다.