IBM, 삼성과 ‘수직 아키텍처’ 반도체 디자인 첫 공동 개발

삼성전자와 미국 IT기업 IBM이 업계 최초 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인을 개발해 상용화에 나선다.
 
IBM은 15일 반도체 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 전류가 수직으로 흐르게 하는 새로운 아키텍처 ‘VT펫(VTFET·Vertical Transport Field Effect Transistors)’을 삼성전자와 개발했다고 발표했다.
 
수직으로 트랜지스터를 집적하는 아키텍처는 VT펫이 업계 최초다. 기존에는 수평으로 트랜지스터를 집적해 전류가 좌우로 흐를 수 있게 설계해 왔다. 이는 앞선 핀펫(FinFET) 아키텍처 대비 전력 사용량을 최대 85%까지 절감할 수 있도록 돕는다는 게 회사 측 설명이다. 또한 이 새로운 공정 기술은 2배 높은 성능을 자랑한다.

 
양사는 혁신적인 반도체 기술 개발을 위해 미국 뉴욕 올버니에 있는 IBM 나노테크 연구단지에서 공동 연구를 진행했다. 
 

관련기사

• 삼성전자 노조, 임금협약 잠정안 투표 '부결'
• 삼성전자, 개발자 콘퍼런스서 생성형 AI 모델 '삼성 가우스2' 공개

IBM에 따르면 이번 VT펫의 수직 배치 방식이 개발되면서 반도체 회로 내에 집적할 수 있는 트랜지스터 수의 한계를 극복하게 됐다. 결국 수평 방식으로는 칩 내 집적할 수 있는 물리적인 면적 자체가 부족한데, VT펫으로 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 됐다는 의미다.
 
아울러 삼성전자는 5나노 제조 공정에 기반해 조만간 IBM 칩 생산에 나설 예정이다. 이에 따라 생산된 칩은 IBM 자제 서버 플랫폼에서 활용될 것으로 전망된다.
 
 

삼성전자와 IBM이 공동 개발한 ‘VT펫(VTFET·Vertical Transport Field Effect Transistors)’ 웨이퍼. [사진=IBM]