‘세계 1위 저력’ 삼성전자, 반도체 생산능력 첫 1조개 넘었다

메모리반도체 글로벌 1위 삼성전자의 연간 생산능력이 1Gb(기가비트) 칩 환산 기준 1조개를 넘겼다.

9일 삼성전자 사업보고서에 따르면 2020년 삼성전자 메모리반도체 생산능력은 1Gb 칩 환산 기준 1조2303억개를 기록해 전년(9881억개)보다 24.5% 증가한 것으로 나타났다.

이와 더불어 삼성전자는 생산능력과 같은 양인 1조2303억개를 실제로 생산하며 1조개가 넘는 메모리반도체 생산이라는 기록도 썼다. 삼성전자는 2004년부터 지난해까지 17년 연속으로 생산능력만큼의 메모리반도체를 실제로 생산해내고 있다.

 

[아주경제 그래픽팀]

삼성전자가 1Gb 칩 환산 기준 연간 생산능력과 생산실적이 1조개를 넘은 것은 사상 처음이다. 삼성전자는 D램과 낸드플래시 두 분야에서 모두 선두에 있어 자연스럽게 세계 최초 기록도 함께 쓰게 됐다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 매출 기준 삼성전자의 글로벌 시장점유율은 D램 42.1%, 낸드플래시 32.9%다.

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각각의 부분에서 2위를 기록한 SK하이닉스(29.5%), 일본 키옥시아(19.5%)보다 10%p 이상 높은 수치다.

또 삼성전자는 지난해 메모리 사업에서 설비를 가동할 수 있는 7만3248시간 중 실제로 7만3248시간을 모두 가동, 지난 2010년부터 이어져 온 이 부분 100% 가동률을 올해도 이어갔다.

삼성전자는 2010년 이전 사업보고서에서는 반도체 사업의 설비 가동 시간을 합쳐 표기했고, 2010년부터 메모리 사업의 설비 가동 시간을 따로 표기하고 있다.

삼성전자에 따르면 설비 가동 시간은 24시간 3교대 작업의 특성을 고려해 가동일(365일), 가동시간(24시간), 생산라인 수를 곱한 값으로 산출됐다. 특히 지난해 8월 평택 2라인이 가동에 돌입했음에도 변함없이 100% 가동률을 기록한 게 눈에 띈다.

업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램 생산이 차질없이 이뤄지고 있는 것으로 분석된다.

삼성전자의 메모리반도체 생산능력은 해를 거듭할수록 확대되고 있어 올해도 생산능력·생산실적이 확대될 것으로 보인다.

실제로 지난해 8월 LPDDR5 모바일 D램에 이어 올해 하반기부터 차세대 V낸드 라인도 평택 2라인에서 본격적으로 가동할 계획이다.

지속적인 투자도 이뤄지고 있다. 삼성전자는 지난해에도 반도체 신·증설, 보완 등에 32조8915억원을 투자했다. 이 기간 디스플레이 등을 포함해 DS 부문이 사용한 투자금의 규모는 총 38조4969억원에 달한다.

이에 더해 삼성전자는 올해에도 메모리·시스템반도체 선단 공정의 증설·전환과 인프라 투자 등을 통해 주력 사업의 경쟁력을 강화하겠다고 공언했다.

올해 글로벌 반도체 업계가 호황기에 접어들 것으로 예견되는 가운데 삼성전자가 생산 라인 확대, 지속적인 투자, 100% 가동률 달성 등을 이어간다면 올해도 ‘글로벌 메모리반도체 1위’를 굳건히 지킬 것으로 분석된다.

 

삼성전자 평택2라인 전경.[사진=삼성전자 제공]