SK하이닉스, 차세대 메모리(PC램) 개발 위해 IBM과 손 잡아

6월 8일(미국 현지시각) 미국 뉴욕의 IBM연구소에서 SK하이닉스 홍성주 연구소장(좌측 두번째)과 IBM 연구소의 천 즈치앙 부사장(우측 두번째)이 공동개발 계약 체결 후 악수하고 있다. @사진제공=SK하이닉스

아주경제 박재홍 기자=SK하이닉스(대표이사 권오철)가 차세대 메모리 제품인 PC램(Phase Change Random Access Memory, 상변화 메모리) 개발을 위해 미국 IBM과 ‘공동개발 및 기술 라이선스에 관한 계약’을 체결했다고 10일 밝혔다.

PC램은 낸드플래시의 일반적인 읽기 및 쓰기 속도보다 100배 이상 빠르고, 내구성은 1000배 이상 좋으며 D램과 같이 낮은 전압에서 동작이 가능하다.

결정상태에 따른 저항차이를 이용한 메모리반도체로 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특성 때문이다.

SK하이닉스는 이번 공동 개발을 통해 PC램 공정의 핵심인 상변화 물질 및 MLC(Multi-Level Cell) 구현 기술에 관한 IBM의 탁월한 연구성과와 SK하이닉스의 뛰어난 미세공정 기술력 및 제품 양산 능력이 결합되어 PC램 시장의 주도권을 확보하는 기회가 될 것으로 기대하고 있다.

IBM 연구진들은 지난 2011년6월 안정적인 MLC 방식을 통해 PC와 서버의 부팅 속도를 대폭 줄이고, IT 시스템의 전체적인 성능을 높여주는 PC램 기술을 시연한 바 있다.

SK하이닉스는 자사가 2007년 PC램 개발을 시작해 40나노급 1기가비트 PC램에 대한 기반기술을 개발한만큼 이번 제휴를 통해 PC램 상용화 가능성을 획기적으로 높이는 기반을 마련했다고 자평했다.

이번 협력을 통해 개발될 PC램은 엔터프라이즈 서버의 성능 향상 및 전력소비 완화를 위한 SCM(Storage Class Memory) 제품으로 상용화될 예정이다.

SCM은 서버에서 D램과 SSD(Solid State Drive)의 중간역할을 하는 신개념 버퍼(Buffer) 메모리로, 기존 D램과 SSD의 일부 기능을 보완하는 제품이다.

SK하이닉스 연구소장인 홍성주 전무는 “이번 공동개발 및 라이선스 계약으로 양사는 재료, 공정, 설계 등의 분야에서 각 사의 기술적 장점과 자원을 최대한 활용해 PC램의 본격적인 상용화 시기를 앞당길 수 있을 것”이라고 강조했다.

IBM 연구소의 천 즈치앙(陳自强, T. C. Chen) 부사장은 ”PC램은 컨슈머용 기기에서부터 클라우드 컴퓨팅, 저장장치 및 기업용 솔루션에 이르기까지 다양한 분야에서 저비용, 고성능을 구현해줄 신개념의 메모리 기술“이라며 “SK하이닉스와의 공동개발을 통해 PC램 제품의 개발은 더욱 탄력을 받게 될 것” 이라고 말했다.

시장조사기관 가트너에 따르면 D램과 SSD(Solid State Drive) 등을 포함한 전체 서버용 메모리 시장은 2012년 80억 달러에서 2016년 160억 달러 규모로 확대될 것으로 보이며, 이 가운데 주요 서버 업체들이 도입을 추진하고 있는 SCM용 PC램 시장은 같은 해 14억 달러 수준에서 지속적으로 성장할 전망이다.

SK하이닉스 송현종 미래전략실장은 “IBM과의 PC램 공동개발은 현재 도시바와 개발 중인 STT-M램, HP와 개발중인 Re램과 함께 SK하이닉스가 차세대 메모리 분야에서 경쟁력을 강화하는데 큰 힘이 될 것으로 기대하고 있다. 앞으로도 SK하이닉스는 시장변화와 고객 요구에 능동적으로 대응하기 위해 다양한 업체들과의 전략적 제휴를 통해 미래사업 역량을 지속적으로 확충해 나갈 것“이라고 전했다.


※용어 설명
SCM (Storage Class Memory)
서버에서 데이터 처리성능 향상 및 전력소모를 줄이기 위해 D램과 SSD(Solid State Drive)의 중간역할을 하는 신개념 버퍼(Buffer) 메모리로, 기존 D램과 SSD의 일부 기능을 보완하는 제품이다. 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 보존되는 비휘발성의 특성과 D램과 같이 빠른 데이터 처리가 가능한 특징이 있다.

MLC (Multi-Level Cell)
멀티 레벨 셀(Multi-Level Cell)의 약자로, 한 셀 당 2 비트 이상의 정보를 저장하는 기술을 말한다. 셀 당 1비트의 정보를 저장하는 방식을 싱글 레벨 셀(SLC, Single-Level Cell)이라고 하며, 현재 낸드플래시에서는 MLC 기술이 상용화되어 있다.
IBM은 MLC 기술을 PC램에 적용해 2011년 6월 2비트의 데이터를 각 상변화 메모리 셀에 넣는데 성공한 사실을 발표한 바 있다. 멀티 레벨 셀은 일반적으로 저장 밀도가 높기 때문에 단위 비트 당 값이 싸다. 하지만 저장 상태 간의 여유분(margin)이 줄어들면서 오류가 생길 가능성이 높아지고 셀 당 전력 소모가 큰 단점이 있다.