삼성전자는 세계최초로 40나노급 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 적용한 서버용 32기가바이트(GB) D램 모듈을 다음달부터 양산한다고 29일 밝혔다.
이 제품은 기존 16GB D램 모듈보다 용량이 두 배다. 삼성전자는 지난해 3월 세계 최초로 50나노급 2Gb D램을 적용한 16GB D램 모듈을 양산했다.
또 지난해 7월부터 40나노급 2Gb D램을 적용, 최대용량 16GB D램 모듈을 공급해왔다. 이번 제품에 적용된 40나노급 4Gb DDR3 D램은 올 2월부터 양산됐다.
이번 제품 출시로 삼성전자는 PC용 4GB D램 모듈에서부터 서버용 32GB D램 모듈까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보, 그린 메모리 전략을 확대·전개한다는 방침이다.
이번 제품은 기존 40나노급 2Gb D램으로 만든 16GB D램 모듈보다 용량은 두 배지만 소비 전력은 거의 같다.
회사측은 "이번제품은 기존 16GB D램 모듈과 동일한 개수로 두 배 용량의 메모리 탑재가 가능해 시스템 투자비용을 절감할 수 있다"며 "또 같은 용량의 메모리에 사용되는 D램 모듈 개수를 절반으로 줄일 수 있어 데이터 처리 속도는 800Mbps에서 1066Mbps로 향상되고 소비전력은 40% 정도 줄일 수 있다"고 설명했다.
또한 중앙처리장치(CPU)를 4개 사용하는 4웨이 서버에서는 D램 모듈을 최대 64개까지 사용할 수 있어 최대 2테라바이트(TB)의 메모리를 탑재한 고성능 서버 제품 출시가 가능해졌다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "지난해 16GB D램 모듈에 이어 올해에는 40나노급 32GB D램 모듈 양산으로 프리미엄 서버의 경쟁력을 더욱 강화하는 솔루션을 제시하게 됐다"며 "하반기에는 30나노급 제품을 출시해 대용량 D램 시장의 성장을 더욱 가속화시켜 나가겠다"고 말했다.
아주경제 감혜림 기자 kam85@ajnews.co.kr
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