삼성전자, 세계 최초 40나노 D램 개발

삼성전자가 D램 반도체 시장에서 기술 우위를 다시 한번 확인했다.

삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노급 D램 제품 개발을 성공했다고 밝혔다. 

이번 개발은 60나노급(2005년), 50나노급(2006년) 세계 최초에 이은 쾌거로 삼성전자는 3, 4분기께 양산에 돌입할 예정이다. 이로써 삼성전자는 업계 최고 수준의 원가 경쟁력 확보는 물론, 친환경 제품(Green product) 경쟁력을 더욱 강화하게 됐다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 올해 안에 40나노급 2기가 DDR3 제품 개발을 완료하고 양산도 개시할 예정이다.

특히 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있다. 

또 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만아니라, 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과가 있다. 

현재 50나노급 D램 양산이 가능한 반도체 기업은 삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 제조사밖에 없는만큼  삼성전자는 글로벌 경쟁사와의 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 보인다.

삼성전자 관계자는 "40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론, 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발할 것"이라며 "이를 통해 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획"이라고 밝혔다.

한편, 40나노미터는 머리카락의 2500분의1 굵기로 40나노 D램은 회로 사이의 간격이 40나노미터에 불과한 최첨단 기술력이 뒷받침돼야 한다.

이하늘 기자 [e-mail]
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