반도체 핵심기술 중국에 유출...수사 4년 만에 산업스파이들 징역형

실리콘을 원료로 사용한 반도체 웨이퍼 위에 칩이 생산된 모습. 사진은 기사 내용과 직접적 관련 없음. [사진=SK하이닉스]

국내 반도체용 웨이퍼 제조 핵심 기술들을 중국 신생 경쟁업체에 빼돌린 '산업 스파이' 4명이 범행 발각 4년 만에 실형을 선고받았다. 

10일 법조계 등에 따르면 대구지법 서부지원 제5형사단독(김희영 부장판사)은 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 A씨 등 4명에게 징역 1년∼2년 6월을 각각 선고했다. 또 수사에 협조한 1명을 제외한 나머지 3명을 법정 구속했다.

A씨가 대표이사로 있는 대구 소재 반도체 및 태양광발전용 전문 장비 제작업체에는 3억원의 벌금형을 선고했다.

이들은 2015년 8월∼2018년 3월 국내 피해기업의 반도체용 웨이퍼 제조를 위한 '단결정 성장·가공 기술'과 관련한 핵심 기술자료 2건을 중국 상하이(上海)에 있는 신생 반도체용 웨이퍼 제조업체에 유출한 혐의를 받고 있다.

관련기사

• 특허청, 산업스파이 색출 '방첩기관' 지정
• 美, 中 정보요원 산업스파이 혐의로 체포..대중 공세 강화되나

피해기업의 단결정 성장·가공 기술은 산업기술 유출 방지 및 보호에 관한 법률에서 규정한 첨단기술이다. 특히 중국 측에 넘어간 핵심 자료들은 피해기업이 1999년부터 상당한 연구비와 노력을 들여 개발한 것으로, 영업비밀에도 해당한다.

A씨가 대표로 있는 업체는 2015년 이전에는 주로 태양광용 단결정 성장 장비를 제조·판매해오다가 국내 태양광 산업 침체로 매출이 급감하자 직원들을 구조조정을 하는 등 부침을 겪었다. 

그러던 중 중국 업체로부터 반도체용 단결정 성장 장비 납품을 의뢰를 받자 A씨 업체는 자체 기술이 없음에도 경영 개선을 위해 중국 업체 측 제안을 받아들였다. 이후 A씨는 또 다른 피고인인 B씨·C씨 등 2명과 공모해 피해기업 핵심 기술을 몰래 사용한 부품설계 도면 등을 만들어 중국 업체 측에 넘겼다.

수사 결과 B씨와 C씨가 과거 피해기업에 근무했던 경험을 범행에 이용한 것으로 드러났다. 이들 중 1명은 퇴사 당시 피해기업의 핵심 기술자료 일부를 가지고 나온 것으로 조사됐다. 나머지 피고인 D씨 역시 피해기업과 관련 있는 구미 한 업체 하청업체로부터 부당한 방법으로 피해기업의 또 다른 핵심기술 자료를 확보한 것으로 파악됐다.

A씨 등의 이러한 범죄는 2020년 6월 산업기술 유출 대응 활동을 펼쳐오던 국가정보원에 포착됐고, 이후 사건은 검찰로 이첩됐다.

하지만 이후 수사와 재판이 4년 가까이 진행되는 동안 국내 피해기업의 핵심기술을 취득한 중국 업체는 반도체용 대구경 단결정 성장·가공 분야에서 높은 기술력을 확보하고, A씨 업체 또한 관련 분야 장비를 수출하며 막대한 이익을 얻은 것으로 나타났다.

재판부는 "피고인들은 피해기업 영업비밀이 중국에서 사용될 것임을 잘 알면서도 부정한 이익을 얻기 위해 사용·누설했다"며 "이러한 범죄를 가볍게 처벌한다면 해외 경쟁업체가 우리 기업이 각고의 노력으로 쌓아온 기술력을 손쉽게 탈취하는 것을 방치하는 결과를 낳을 것"이라고 지적했다.