​이정배 삼성전자 사장 "D램·낸드플래시, 집적도 극한으로 높인다"

삼성전자가 초일류 기술을 기반으로 차세대 메모리 시장에서도 초격차를 이어간다.
 
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 올린 기고문 ‘삼성 메모리의 혁신, 무한한 가능성을 열다’를 통해 이같이 밝혔다. 기고문에서는 삼성전자가 1993년부터 지난 30년간 글로벌 넘버원 메모리 솔루션 공급자로서 자리를 지켜오고 있다며 포문을 열었다.
 
이 사장은 “최근 초거대 인공지능(AI)은 메모리의 새로운 응용처로 급부상하고 있고, 메모리 반도체에 대한 요구사항도 변화하고 있다”며 “중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU)의 데이터 처리를 분담하는 새로운 메모리 솔루션이 필요한 시점”이라고 분석했다.

 
그러면서 앞으로 업계를 선도하기 위한 세 가지 축으로 △한계에 도전하는 기술 혁신 △선단 공정 및 고부가 제품 생산 비중 확대와 연구·개발(R&D) 투자 강화 △고객, 파트너와 강력한 협력 관계를 강화하겠다고 전했다.
 

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• 이정배 삼성전자 메모리사업부장 (사장)

먼저 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화한 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열어간다. 이미 현재 11나노급 D램을 개발 중이다.
 
또 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발하고 있다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다.
 
향후 고대역폭메모리(HBM) 등 고용량 D램 라인업도 지속 확대한다. 현재 HBM3를 양산하고 있고, 차세대 제품인 HBM3E를 개발하고 있다. 이 밖에 서버 스토리지 역시 응용처에 따라 용량을 변화하고 있고, 페타바이트급으로 확장할 수 있는 페타바이트(PB) 솔리드스테이트드라이브(SSD)도 선보일 예정이다.
 
이 사장은 “투자를 지속하며 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나갈 것”이라며 “삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어 갈 것”이라고 강조했다.
 
또 그는 “파트너사와 협력을 확대해 상품 기획, 기술 개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척할 것”이라며 “동시에 D램과 낸드플래시의 혁신적 기술 준비를 위해 소재, 장비 등 전 세계 파트너사와 협력을 강화할 것”이라고 설명했다.
 
한편 삼성전자는 오는 20일 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 개최한다. 여기서 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 미래 전략을 소개한다.
 

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장) [사진=삼성전자 반도체 뉴스룸 갈무리]