연세대학교 물리학과 조만호 교수 연구팀은 현재 반도체 소자에서 가장 광범위하게 사용되고 있는 Si 및 SiGe 반도체 물질을 이용해 기존의 Si 소자보다 최대 2.6배 이상 전자의 이동도를 증가시킬 수 있음을 확인했다고 11일 밝혔다.
이번 연구에는 조만호 교수팀의 마진원(제1저자) 박사와 한국과학기술연구원(KIST) 안재평 박사, 성균관 대학교 김형섭 교수가 공동연구를 수행했으며 관련 논문은 지난 10월 26일 나노 과학기술 학술지인 '나노 레터스(Nano Letters)' 온라인 판에 게재됐다.
연구진에 따르면 이동도는 소자의 빠르기와 직접적인 연관성을 갖는 인자로 이번 연구는 현재의 소자보다 2.6배 빠른 소자의 개발이 가능함을 제시한 결과다.
이러한 상황에서 연구팀이 제시한 연구 결과는 Si기반의 반도체 소자 물질의 응용 가능성을 제시하였다는 측면에서 큰 의의를 가진다.