‘3D Xpoint 기술’ 인텔 “삼성·SK 하이닉스와 경쟁관계 아냐”

나승주 인텔코리아 이사가 8일 서울 여의도 KT빌딩에서 열린 ‘IDF 2015 업데이트 미디어 브리핑’에 참석해 3D 크로스포인트 기술에 대해 설명하고 있다. [사진=한아람 기자]

아주경제 한아람 기자 = 인텔이 지난 7월 공개한 새로운 스토리지용 메모리 기술 ‘3D 크로스포인트(Xpoint)’에 대해 서버용 D램 등을 생산하는 삼성전자와 SK하이닉스와 경쟁 관계가 아닌 보완관계라고 8일 강조했다.

나승주 인텔코리아 이사는 이날 서울 여의도 KT빌딩에서 ‘IDF 2015 업데이트 미디어 브리핑’을 열고 “3D 크로스포인트 기술은 메모리의 성능을 향상 시켜주는 역할을 하기 때문에 기존의 메모리를 대체하는 것이 아니다“라며 이같이 밝혔다.

3D 크로스 포인트 기술은 인텔과 마이크론이 10년 이상 공동연구로 개발한 것으로, 기존 낸드 플래시의 성능 손실과 수명에 대한 한계점을 개선한 차세대 메모리 기술이다.

기존 낸드 플래시는 페이지 단위로 셀에 기록하고 접근하는 반면, 3D 크로스포인트는 셀 위아래에 엇갈리게 놓여있는 금속 회로를 통해 기록이 필요한 메모리 셀에 직접 접근할 수 있도록 설계됐다.

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이 같은 구조 때문에 3D 크로스포인트 기술은 기존의 낸드 플래시 보다 1000배 빠른 접근 속도를 가지며, 페이지나 블록 전체의 셀을 지우고 쓰는 일이 없기 때문에 셀의 수명도 1000배 이상 늘어나게 된다.

또 수직으로 셀을 쌓아 올라가는 구조기 때문에 기존 D램 메모리에 비해 10배의 용량을 집적할 수 있다. 즉, 3D 크로스포인트는 D램의 빠른 데이터 접근 속도에 낸드 플래시의 대용량, 비휘발성 장점을 결합한 것이다.

나 이사는 “현재 D램보다 3D 크로스포인트의 접근 속도가 더 빠르다는 것은 아니지만 D램만큼의 속도는 나온다”며 “게다가 비휘발성이기 때문에 빅데이터 처리 등 용도가 많아 유용하게 쓰일 것”이라고 덧붙였다.

한편 인텔은 지난달 미국 샌프란시스코에서 열린 개발자 포럼 ‘IDF 2015’에서 3D 크로스포인트 기술에 기반한 시스템 메모리 컨트롤러, 인터페이스 하드웨어, 그리고 소프트웨어 IP를 결합한 인텔 옵테인 기술을 발표했다.

인탤 옵테인 기술은 오는 016년 초 고성능 인텔 SSD의 새로운 제품 라인으로 출시될 예정이다.