SK키파운드리는 HVIC 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다.

HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS, 650V 이상의 부트스트랩 다이오드 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이다. 또 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다.

SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD 옵션을 통한 1500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650~1200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 경쟁력을 강화하게 됐다"며 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.