SK키파운드리는 모바일 및 전력 반도체 성능을 향상시킬 수 있도록 개선된 4세대 0.18㎛(마이크로미터) BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다.

4세대 공정은 기존 3세대 대비 성능이 20% 향상됐으며, 3.3V(볼트), 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공한다.

서버 및 노트북용 전력반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 차저, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 필요에 맞는 사양으로 사용할 수 있다.

또한 트리밍용 MTP·OTP 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다.

특히 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125도 고온 환경에서 집적회로(IC) 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 1등급을 만족했다.

또 굵은 인터 메탈 다이얼렉트릭(Thick IMD) 옵션 제공을 통해 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터제품 설계 또한 가능하다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.