[NNA] 난양대 등 3사, IoT용 차세대 메모리 개발
2019-10-24 14:42
[난양이공대(NTU) 등 3사는 IoT기기용 저항변화메모리 R&D에 제휴하기로 합의했다. (사진=NTU 제공)]
싱가포르의 난양이공대학(NTU)과 총리실 직속 국가연구재단(NRF), 미국 반도체 제조사 글로벌 파운드리(GF)가 21일, 사물 인터넷(IoT) 기기용 저항변화메모리(ReRAM) 분야 연구개발(R&D)에 3사가 제휴하기로 했다고 밝혔다.
3사는 1억 2000만 달러(약 130억 엔)를 투입해 직경 12인치의 웨이퍼용 ReRAM 연구개발에 돌입한다. 시제품은 최첨단 연구시설이 모인 NTU의 '스마트 캠퍼스'내에서 개발해 시험을 실시하게 된다. 제휴기간은 4년. 3사간 자본 투자 비율에 대해서는 밝히지 않았다.
ReRAM은 기존 랜덤 액세스 메모리(RAM)에서 진화된 차세대 내장 메모리. 외부의 압력에 의한 전기저항 변화를 이용한 불휘발성 메모리로, 저장과 불러오기 속도, 용량이 우수하며, 소형화도 가능해 에너지, 비용 효율이 좋다는 평가를 받고 있다.