아주경제 한아람 기자 = “현재 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장이 전체 스토리지 시장에서 차지하는 비중은 10~20%에 불과하지만 성장 잠재력은 훨씬 더 큽니다. 데이터센터 시장에서는 이미 하드디스크에서 SDD로 넘어가는 전환 현상이 진행되고 있습니다.”

데이비드 룬델(David T Lundell) 인텔 클라이언트 SSD 전략 수립 및 제품 마케팅 책임자가 15일 서울 여의도 인텔코리아 사무실에서 진행된 ‘인텔 SSD 미디어 라운드테이블’에 참석해 이 같이 밝혔다.

룬델 책임자는 “데이터 센터 같은 경우 SSD를 사용하면 더 빠른 속도로 더 많은 고객을 수용할 수 있고 센터 전체 운영비용도 낮출 수 있기 때문에 이미 흐름이 SSD로 넘어가고 있다”고 설명했다.

다만, 그는 클라이언트 시장에 대해서는 “아직까지는 HDD와 비교했을 때 높은 가격이 장애물”이라면서도 “SDD가 가격 경쟁력을 갖추는 1~2년 내 확 전환되는 상황이 나타날 것”이라고 전망했다.

SSD는 하드디스크드라이브(HDD)와 같은 역할을 하는 보조기억 장치다.

HDD가 마그네틱 원판을 회전시켜 정보를 읽고 기록하는 방식을 썼다면, SSD는 이 같은 물리적인 과정 대신 반도체의 일종인 낸드플래시를 이용한다. 이로 인해 SDD가 속도나 소모전력면에서 HDD보다 우수하지만, 고가라는 단점이 있다.

인텔은 올해 ‘플로팅 게이트’ 기술을 기반으로 적극적인 SSD 시장 공략에 나선다고 밝혔다.

룬델 책임자는 “플로팅 기술은 인텔이 개발해 25년간 사용한 성능이 입증된 기술”이라며 “이를 활용하면 메모리 어레이를 제어하기 위한 컨트롤 회로를 플래시 어레이 아래에 배치할 수 있어 ‘차지 트랩(Charge trap)’ 기술 보다 면적 효율성을 높일 수 있다”고 설명했다.

메모리 셀이 데이터를 기억하는 기술은 크게 플로팅 게이트와 차지 트랩(전하 축적) 방식으로 나뉜다.

플로팅 게이트는 절연체(전자가 흐르는 물질)인 산화막으로 구성된 플로팅게이트 위에 전자를 채우고 비우는 방식으로 낸드플래시 메모리 셀의 데이터를 기록·삭제하는 방식이다.

차지 트랩은 부도체에 전하를 저장토록 함으로써 셀간 간섭 현상을 줄이고 간격을 좁힐 수 있는 기술이다. 업계 1위인 삼성전자나 도시바-샌디스크 모두 차지 트랩 방식을 사용하고 있다.

룬델 책임자는 “건물을 지을 때 주차장을 야외 주차장으로 짓는 것과 빌딩 아래 공간에 지하 주차장을 짓는 것으로 비교할 수 있다”며 “플로팅 게이트를 사용하면 주차장을 건물 아래 공간으로 내려 지을 수 있어 비용 효율성을 높일 수 있다”고 설명했다.

그는 이어 “3D 낸드플래시는 인텔이 직접 제조하는 것으로 중국 다롄 생산라인에서 올해 내로 실제 양산에 돌입할 것”이라며 “이는 메모리 분야에 대한 인텔의 강한 의지를 나타내는 것”이라고 덧붙였다.

인텔은 지난해 마이크론과 파트너십을 체결하고 공동으로 3D 낸드를 개발·생산 해왔으나, 올해부터는 중국 다롄의 IC(직접회로) 공장을 낸드 플래시 라인으로 개조해 자체 양산한다는 방침이다.

힌편, 인텔은 지난 6일 인텔 제품 중에서는 처음으로 3D 낸드 기술을 적용한 SSD인 P3320, P3520 시리즈를 공개했다. 또 듀얼포트 PCIe를 적용한 D3700, D3600 시리즈와 중저가형 S3100, 노트북용 540s, 임베디드 기기용 E 5400s·E 5410s도 함께 선보였다.