美, 뉴욕 올버니 반도체 R&D 시설 건립에 1.1조 투자… "기술 선도 이정표 될 것"

6월 싱가포르 IPEF(인도태평양경제프레임워크) 청정경제 투자자포럼에서 정인교 산업통상자원부 통상교섭본부장과 면담한 지나 러몬도 미국 상무부 장관 [사진=산업통상자원부]

미국 상무부와 국가반도체기술진흥센터(Natcast)가 뉴욕주 주도 올버니에 8억2500만 달러(약 1조1374억원)를 투자해 반도체 연구개발(R&D) 시설을 세운다. 미국과 패권 경쟁에 나선 중국의 첨단 기술 굴기에 맞서기 위한 조치로 해석된다.

31일(현지시간) 미국 상무부는 반도체법(CHIPS)에 따른 첫 R&D 플래그십 시설이 올버니 나노테크 단지에 들어선다고 발표했다.

지나 러몬도 미국 상무부 장관은 "이 시설의 건립은 미국이 혁신과 반도체 R&D에서 글로벌 리더로 남도록 보장할 핵심 이정표가 될 것"이라고 말했다.

올버니에 건립되는 반도체 R&D 시설에는 반도체 초미세공정에 쓰이는 극자외선(EUV) 관련 기술을 개발하기 위한 EUV 가속기가 설치된다.

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앞서 미국 재무부는 반도체, 인공지능 등 첨단 기술 관련 미국 자본의 중국 투자를 통제하는 내용을 담아 조 바이든 대통령이 서명한 행정명령 14105호의 최종 규칙을 지난달 28일 발표하고 내년 1월 2일부터 시행한다고 밝혔다.