메모리 반도체, 3개월째 가격 제자리걸음...하반기 D램 상승 가능성 커

2024-08-03 06:00
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    D램·낸드 플래시 등 메모리 반도체 월평균 가격이 3개월 연속 보합세를 이어갔다.

    반도체 업계에선 올 하반기 반도체 웨이퍼 소모량이 큰 HBM(고대역폭 메모리) 생산 증가로 범용D램의 쇼티지(공급부족)가 일어날 가능성에 주목하고 있다.

    다만 범용 D램의 공급부족으로 거래가격이 상승하더라도 재고가 쌓인 구형(레거지) 제품인 DDR4보다 신형 제품인 DDR5와 서버용(ECC) D램이 영향을 받을 가능성이 크다. 범용 낸드의 경우 기업공개(IPO)를 준비 중인 일본 키옥시아의 증산으로 올 하반기 거래가격이 하락할 가능성이 점쳐진다.

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범용 D램·낸드 3개월 연속 보합세

D램은 공급부족으로 가격↑, 낸드는 증산으로 가격↓ 가능성 제기

반도체 생산라인 사진연합뉴스
반도체 생산라인 [사진=연합뉴스]
D램·낸드 플래시 등 메모리 반도체 월평균 가격이 3개월 연속 보합세를 이어갔다. 올 하반기부터는 D램은 가격 상승이, 낸드는 가격 하락 가능성이 제기되고 있다.

2일 대만 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 범용 D램(DDR4 8Gb 1Gx8)의 7월 평균 고정거래가격은 전월과 같은 2.1달러로 집계됐다.

D램 가격은 지난해 10월부터 올해 1월까지 네 달 연속 오른 후 2개월간 제자리걸음을 했다. 이어 반도체 슈퍼사이클(대호황) 초입에 돌입한 4월 16.67% 오르며 2022년 12월 이후 약 1년 6개월 만에 2달러대를 회복해 유지 중이다.

메모리카드와 USB메모리용 범용 낸드(128Gb 16Gx8 MLC)의 7월 평균 고정거래가격도 전월과 같은 4.9달러를 유지하며 5개월째 제자리걸음하고 있다.

앞서 범용 낸드 가격은 지난해 10월부터 올해 2월까지 5개월 연속 상승하며 다운턴(불황) 여파를 극복했다.

반도체 업계에선 올 하반기 반도체 웨이퍼 소모량이 큰 HBM(고대역폭 메모리) 생산 증가로 범용D램의 쇼티지(공급부족)가 일어날 가능성에 주목하고 있다.

다만 범용 D램의 공급부족으로 거래가격이 상승하더라도 재고가 쌓인 구형(레거지) 제품인 DDR4보다 신형 제품인 DDR5와 서버용(ECC) D램이 영향을 받을 가능성이 크다.

범용 낸드의 경우 기업공개(IPO)를 준비 중인 일본 키옥시아의 증산으로 올 하반기 거래가격이 하락할 가능성이 점쳐진다. 삼성전자와 SK하이닉스는 고부가가치 QLC(4비트셀) 기업용 SSD(eSSD) 판매에 주력하며 낸드 생산량 확대에 보수적인 기조를 이어갈 방침이다.

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