삼성전자, 업계 최첨단 기술 적용된 12나노급 D램 개발···초격차 유지 지속

삼성전자가 반도체 업계 최신 기술이 적용된 제품을 생산하면서 기술 초격차를 유지해 나간다.

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량을 늘리고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.

또 멀티레이어 EUV(극자외선·Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

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DDR5 규격인 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량인 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들이 주목할 것으로 보인다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 동시에 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적으로 DDR5 시장을 확대하는 데 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객에게 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것"이라고 말했다.

조 매크리(Joe Macri) AMD 최고기술책임자(CTO)는 "기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는 데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.
 

삼성전자자 12나노급 16Gb DDR5 [사진=삼성전자]