'평택공장 시찰' 한·미 정상 뒤에 선 이재용..."삼성-미국 우정 계속되길 기대"

이재용 삼성전자 부회장이 사상 처음 한국 반도체 공장을 찾은 미국 대통령의 방문 행사에서 한·미 양국의 반도체 협력을 위한 '가교' 역할을 무사히 마무리 지었다.

2박3일 일정으로 방한한 조 바이든 미국 대통령과 윤석열 대통령이 20일 오후 6시경 경기도 평택 소재 삼성전자 평택 반도체 공장(평택캠퍼스)을 찾은 가운데 이 부회장은 두 정상을 직접 맞이했다.

이 부회장은 20여분간 진행된 시찰 과정에서 두 정상으로부터 몇 걸음 뒤에 떨어져 조용히 동행했다. 방진복을 입은 삼성전자 직원이 바이든 대통령을 향해 영어로 설명하는 중간중간 간간이 웃음을 지을 뿐, 전면에 나서진 않았다.

 

취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 이재용 부회장 등 삼성 관계자들의 안내를 받으며 공장을 시찰하고 있다. [사진=연합뉴스]

다만 이 부회장은 평택캠퍼스 내부에서 진행된 환영 행사와 양국 정상의 연설에 앞서 단상에 올랐다. 한·미 정상이 삼성전자를 찾아준 것에 다시 한번 감사를 표했고, 향후 한·미 간의 반도체 협력을 강조하는 인사말을 했다.

관련기사

• 쪽방촌 둘러보고 눈물삼킨 이재용 회장...20년 남몰래 후원
• 尹 "대한민국의 새로운 도약 위해 모두 힘차게 뛰자"...이재용 등 기립박수

이 부회장은 영어로 “윤석열 대통령과 조 바이든 대통령 두 분을 직접 모시게 돼 영광”이라며 “전 세계에서 가장 크고 선진화된 제조 공장인 평택 반도체 캠퍼스에 와주신 것에 대해 환영의 말씀 드린다”고 인사말을 시작했다.

그는 “삼성은 25년 전에 미국에서 반도체를 만든 최초의 글로벌 기업으로, 미국과 아주 긴밀한 경제 관계를 유지하고 있다”며 “삼성은 (미국과의) 이런 우정을 존중하고 소중하게 생각하며 계속 발전시키길 기대한다”고 말했다.

그러면서 “반도체는 모든 것의 엔진이 되고 있으며 성장을 이끌고 많은 기회를 만들고 있다”며 “많은 국가의 사람들이 반도체를 통해 인터넷에 접근할 수 있고, 또 많은 기업들이 지식의 데이터베이스를 활용해 생산성을 높이고 있다”고 설명했다.

이 부회장은 “이러한 혁신 기술은 한국과 미국, 그리고 전 세계 삼성팀 여러분들의 헌신과 많은 노력에 기인한다고 볼 수 있다”며 “삼성은 미국 또 세계 각국과 아주 중요한 관계를 맺고 있다”고 자긍심을 표했다.

이 부회장은 이어 윤 대통령과 바이든 대통령을 호명하며 무대로 안내했고, 단상에 오른 두 정상은 잇달아 이 부회장과 악수를 한 뒤 공동 연설을 시작했다. 이에 미 양국 관계자들과 단상에 자리한 삼성전자 임직원들도 우레와 같은 박수로 양국 정상을 맞이했다. 단상에 오른 삼성전자 임직원들은 바이든 대통령을 환영하는 의미에서 미국 국적을 가진 30여명으로 구성됐다.
 

취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 이재용 부회장의 안내를 받으며 공장을 시찰하고 있다. [사진=연합뉴스]

이날 양국 정상이 찾은 삼성전자 평택캠퍼스는 총 부지 면적이 289만㎡(87만5000평)로, 이는 여의도 면적(약 290만㎡)과 비슷하고 축구장 400개에 달하는 엄청난 규모다. 평택 제1공장(P1)과 제2공장(P2)은 단일 반도체 생산라인(팹) 기준 각각 세계 최대 기록을 세웠다. 완공을 앞두고 있는 3라인(P3)은 더 큰 규모라, 완공 후 세계 최대 규모 팹 기록을 세울 것이 유력하다.

평택캠퍼스에서 생산되는 제품은 차세대 메모리로 불리는 D램과 낸드플래시메모리를 비롯해 초미세 파운드리 제품까지 다양하다. 2017년 가동을 시작한 P1에서 메모리 반도체를 생산하고 있으며, 2020년 가동에 나선 P2에서는 메모리와 파운드리(위탁생산 제품) 생산이 가능한 복합 팹이다.

특히 삼성전자는 조만간 세계 최초로 양산 예정인 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 시제품을 선보였고, 두 정상은 방명록 대신 이 반도체 웨이퍼에 서명했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 하는 것을 목표로 삼고 있다.
 

취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품에 사인하고 있다. [사진=연합뉴스]

삼성전자는 이런 최첨단 공정을 앞세워 미국의 퀄컴 등 팹리스(설계)들의 첨단 반도체 수요에 적극 대응한다는 계획이다. 실제로 이날 바이든 대통령 일행 중에는 삼성전자의 협력사인 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아노 아몬 최고경영자(CEO)도 동행했다.

또한 삼성전자는 지난해 4월 미국 텍사스주 테일러시에 총 170억 달러(약 20조원)를 투자해 신규 파운드리 공장을 짓겠다고 발표했고, 조만간 착공을 앞둔 상태다.

바이든 대통령은 이날 연설에서 삼성전자의 테일러시 공장 투자에 대해 감사를 표한 뒤 “테일러시에서 세계 최고의 반도체들이 생산될 것으로 믿으며 이 투자를 통해 텍사스에 3000개의 새로운 첨단 일자리가 생기고, 삼성이 이미 미국에서 창출한 일자리 2만개에 더해질 것”이라고 말했다.

삼성전자는 바이든 대통령의 방한을 계기로 미국 내 반도체 업계에 520억달러(약 66조원)를 지원하기 위한 법안이 조속히 미 의회를 통과하고, 미국 파운드리 공장 건설에 기폭제가 되길 기대하고 있다.

이 부회장은 바이든 대통령 방한 둘째 날인 21일 저녁 국립중앙박물관에서 열리는 국빈 만찬에도 참석한다. 이 자리에는 이 부회장을 비롯한 10대 그룹 총수와 6대 경제단체장이 함께 참여할 예정이다.