SK하이닉스, 2세대 10나노급 DDR4 D램 개발···내년 1분기 공급

SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램. [사진=SK하이닉스 제공]

SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다. 

신제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 전력 소비도 15% 이상 줄여 업계 최고 수준의 전력 효율을 갖춘 것으로 평가된다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps(초당 메가비트)까지 안정적으로 구현한다. 

이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4페이즈 클로킹(4Phase Clocking)' 설계 기술이 적용됐다. 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존의 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다.

SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어 있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 센스 앰프의 성능을 강화하는 기술이다.

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김석 D램 마케팅담당 상무는 "이번에 개발 완료된 신제품은 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 말했다.