삼성, 세계 최초 '2세대 10나노급 D램' 양산... 생산성 30% 향상

삼성전자 2세대 10나노급 D램. [사진=삼성전자 제공]

삼성전자가 세계 최초로 10나노급(1나노는 10억분의 1ｍ) 2세대(1y 나노) D램 양산에 돌입한다.

삼성전자는 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 8기가비트 DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다고 20일 밝혔다.

이번 10나노급 2세대 D램 생산은 지난해 2월 1세대(1x 나노) 양산을 선언하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월만으로, 반도체 미세공정에서 한 발 더 앞서나간 것으로 평가받고 있다.

진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며, "향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 강화할 것"이라고 말했다.

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실제 현재 PC제품 등에 상용화된 기존 D램과 비교했을 때 초미세화 공정을 통해 생산성을 높인 동시에 제품 속도는 높이고 소비전력은 획기적으로 낮춘 것이다. 특히 세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 30% 가량 높일 수 있어 최근 급증하고 있는 글로벌 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있을 것으로 업계에서는 보고 있다.

삼성전자는 이번에 개발한 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 갖추게 됐다. 이를 기반으로 차세대 D램 시장를 장악한다는 방침이다.

삼성전자 관계자는 "이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계와 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다"면서 "기존 1세대 10나노급에 비해 속도는 10% 이상 높아졌고, 소비전력은 15% 이상 절감할 수 있다"고 설명했다.

한편 삼성전자는 지난 2012년 개발한 2y 나노(20나노급) 4기가 DDR3보다 용량과 속도, 소비전력 효율을 2배 높인 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 전환한다는 계획이다.