SK하이닉스, 하반기 3조 더 투자..."3D낸드 집중 육성"

SK하이닉스는 하반기에 3D 낸드제품 개발 등을 포함해 3조원의 투자를 계획하고 있다. 사진은 SK하이닉스 메모리반도체 생산 라인. [사진=SK하이닉스 제공 ]

아주경제 박선미 기자 =SK하이닉스가 올 하반기 3조원 수준의 설비투자를 단행하고 3D 낸드플래시를 집중 육성한다. 

3D 낸드플래시는 기억저장 단위인 셀을 수직으로 쌓아올리는 기술이다. 같은 면적에 용량을 높일 수록 최신 기술로 분류된다. 대용량저장장치인 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)에 장착돼 활용된다. 

하반기 낸드 시장은 신규 모바일 제품에서 낸드 채용량이 증가할 것이라는 기대감이 커지고 있다.  SSD의 가격 경쟁력이 높아지면서 클라이언트 SSD 뿐만 아니라 스토리지 업체향 엔터프라이즈 SSD 수요가 본격적으로 확대될 전망이다.

시장조사기관 IHS는 올해 글로벌 낸드플래시 시장 규모는 328억5300만달러(약 36조9300억원)로 파악하고 있다. 

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SK하이닉스는 "올해 말까지 2만~3만장의 생산능력을 확보해 3D 낸드 시장에 대응할 것"이라며 "3분기까지는 2세대(36단) 중심의 투자·생산을 하고 4분기부터는 3세대(48단) 생산능력을 확보하는 쪽으로 투자할 것"이라고 밝혔다. 

이어 “내년 상반기 중 낸드 공간 확보가 완료되면 3D낸드 추가 투자가 진행될 예정”이라며 “내년 전체 투자에서도 낸드는 30~35%를 차지할 것”이라고 덧붙였다. 내년 말에는 전체 낸드의 50% 이상을 3D 낸드로 생산한다는 계획이다.

아울러 SK하이닉스는 모바일 시장 확대의 흐름에 발맞춰 2012년 이후 모바일 D램 비중을 30% 이상으로 확대 유지하고 있다. 특히 모바일 D램 시장은 중국 스마트폰 업체들의 수요가 높아 하반기에도 긍정적인 시장 흐름을 보일 것으로 기대하고 있다.

이에 따라 하반기 모바일 D램의 경우 가장 미세화된 공정기술인 20나노초반급 제품 비중을 50% 이상까지 끌어올린다는 계획이다.

이밖에 20나노초반급 D램은 DDR4 및 LPDDR4의 수요 성장에 맞춰 점진적으로 늘려나가 연말 전체 D램 생산의 약 40% 정도까지 확대한다. 10 나노 후반급 D램의 경우에도 연말까지 개발을 완료해 업계 최고 수준의 기술 경쟁력을 확보한다는 전략이다.