삼성전자, 반도체 D램 10나노 시대 열어… 기술 초격차 확대

삼성전자가 세계 최초로 양산에 성공한 10나노급 8기가비트 D램.[사진=삼성전자 제공]

아주경제 이재영 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 D램'를 양산한다.

이로써 삼성전자는 아직 20나노대 공정 기술에 매달리고 있는 SK하이닉스, 마이크론 등과 반도체 기술 초격차를 더욱 벌릴 수 있게 됐다. 

또한 중국의 대규모 투자 공세에도 삼성전자는 10년 이상의 기술 격차가 존재할 것으로 업계는 분석했다. 

삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 : 10억분의1ｍ) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다.

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삼성전자는 지난 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 메모리 기술의 새로운 이정표를 세웠다는 평가를 받고 있다. 이번 10나노 제품은 20나노 제품 대비 생산성과 동작속도, 저전력 등 모든 성능이 20~30% 이상 향상됐다.

삼성전자는 10나노대 진입의 장애물이었던 기반 기술의 한계를 극복해 10나노 중반대 D램 양산도 순차적으로 진행할 수 있게 됐다.

삼성전자는 당초 올해 중순 10나노대 D램 양산에 진입할 것으로 예상됐으나 이를 훨씬 앞당겼다. 이로써 삼성전자는 SK하이닉스 등 후순위 업체와의 D램 원가경쟁력 차이도 더욱 벌릴 수 있게 됐다.

SK하이닉스는 아직 20나노 중반대 D램에 주력하며 하반기쯤 21나노 공정 전환이 예상되고 있다. 마이크론은 20나노대 제품 생산 비중이 1분기에 갓 50%를 넘긴 상태다.

삼성전자는 이같은 기술 격차를 통해 D램 시장 점유율이 지난해 사상 최고치인 45.3%(D램 익스체인지 조사)를 기록하기도 했다.

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라고 강조했다.

이어 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램을 출시해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시, 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는 데 기여해 나갈 것"이라고 덧붙였다. 

삼성전자는 앞으로 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고, 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 D램 시장의 성장세를 견인한다는 방침이다.