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삼성전자가 세계 최초로 개발에 성공한 50나노 공정 4기가비트(Gb) DDR3 D램. 삼성전자는 이를 통해 세계 메모리반도체 시장 주도권을 더욱 강화할 것으로 기대하고 있다. |
29일 세계 최초로 50나노 공정 4기가비트(Gb) DDR3 D램 개발에 성공함으로써 경쟁사들과의 격차를 벌인 것. 삼성전자는 1992년 세계 최초로 64메가비트(Mb) D램을 개발, 시장 정상에 선 이후 줄곳 시장 정상을 지켜왔다.
특히 2007년 세계 최초로 60나노 2Gb DDR2 D램을 개발한데 이어 지난해 9월 50나노 2Gb DDR3 D램을 개발하며 차세대 시장 창출에도 적극적으로 나섰다.
경쟁사들이 50나노 2Gb DDR3 D램 개발에 머무른 가운데 50나노 4Gb DDR3 D램 개발을 통해 삼성전자의 시장 주도권은 더욱 강화될 전망이다.
이번 제품은 기존 1Gb DDR3 D램에 비해 전력 소비가 70% 가까이 절감되는 제품을 양산할 수 있다. 최근 친환경 사양에 대한 요구가 강화되고 있는 것을 감안하면 이번 제품을 통해 삼성전자는 서버 업계의 니즈를 충족할 수 있을 것으로 보인다.
특히 서버 시스템 용량이 2년마다 2배씩 증가하면서 고용량 메모리에 대한 수요가 증가할 것이라는 전망도 이번 삼성전자에 긍정적이다.
또한 이번 제품은 서버 뿐 아니라 데스크탑 PC, 노트북 PC 등 다양 한 분야에 적용이 가능해향후 빠르게 진화하는 PC업계의 수요를 만족시킬 수 있을 것으로 보인다.
세계 DDR3 D램 시장 규모가 빠르게 확장되고 있는 것도 이번 제품을 통한 삼성전자의 시장 지배력 강화를 도울 것으로 보인다. 반도체 시장 조사 기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장 규모는 올해 전체 D램 시장의 29%, 2011년에는 75%를 차지할 것으로 보인다. DDR3D램이 2년 안에 시장의 주력 제품으로 떠오르게 될 것이라는 전망이다.
삼성전자 관계자는 "이번 3Gb DDR3 D램 개발은 빠르게 용량이 증가하는 서버 시장에서 삼성전자가 주도권을 더욱 강화할 수 있는 계기 될 것"이라며 "이를 토대로 D램 시장에서 기술을 선도하고 있는 삼성전자의 위상을 전세계에 과시할 것"이라고 전했다.
이하늘 기자 ehn@ajnews.co.kr
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