삼성전자가 기존 반도체에 비해 부가가치가 훨씬 큰 퓨전 메모리 '원디램(OneDRAM™)' 사업 강화에 본격 나섰다.
삼성전자는 고성능 스마트폰용 원디램 수요가 확대됨에 따라, 최근 1Gb(기가비트) 제품를 개발, 내년 3월부터 본격 양산에 착수할 계획이라고 11일 밝혔다.
또 지난 2006년 12월 개발한 512메가 원디램은 올해 8월 삼성전자 고성능 스마트폰 'SGH-L870' 채용을 시작으로 연내 국내외 주요 모바일기기 업체 7개 모델에 채용될 예정이라고 덧붙였다.
이에 따라 내년에 원디램을 채용한 휴대폰 모델은 총 40개 이상으로 확대될 전망이다.
원디램은 기존 D램만을 활용한 솔루션과 비교할 때 데이터 전송 효율이 뛰어나 스마트폰을 중심으로 수요가 빠르게 확대되고 있다.
휴대폰에 탑재된 원디램은 533MB/s 속도로 모뎀 CPU (통신 기능 수행)의 데이터를 받아
1.06GB/s 속도로 AP CPU (미디어 기능 수행, Application Processor CPU)에 데이터를
전송하기 때문에 기존보다 100배 이상의 인터페이스의 속도를 구현할 수 있다.
이를 통해 전체 시스템 성능을 일반 디램이 탑재된 기존 시스템에 견줘10배 이상 향상시킬 수 있어 휴대폰의 고속 동작을 가능케 하고 소비 전력을 절감할 수 있다고 삼성전자측은 설명했다.
특히 이달 출시 예정인 1기가 원디램 제품은 기존 512메가 원디램 제품 대비 25% 빠른
166MHz 고속 동작을 구현하도록 설계돼, 휴대폰 사용자는 실시간 TV 시청, 화상통화 등과 같은 고사양 기능을 더욱 원활히 즐길 수 있다.
삼성전자 김세진 상무는 "3세대 휴대폰 도입 이후 휴대폰 업체의 초고속 통신 환경에 맞는 제품 개발을 위해 고성능 메모리 솔루션에 대한 기대가 점차 높아지고 있다"며, "향후 원디램 채용 제품은 고성능 휴대폰은 물론 다양한 모바일 기기까지 더욱 확대될 것으로 전망된다"고 말했다.
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