SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 HBM(고대역폭메모리) 등 인공지능(AI) 메모리용 첨단 패키징(결합) 생산 공장을 건설하고, 퍼듀 대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 4일 밝혔다. SK하이닉스는 이 사업에 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자할 계획이다.

SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미국 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다.

이날 행사에는 △에릭 홀콤 인디애나 주지사 △토드 영 미국 인디애나주 상원의원 △아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장 △아룬 벤카타라만 미국 상무부 차관보 △데이비드 로젠버그 인디애나주 상무장관 △멍 치앙 퍼듀대 총장 △미치 대니얼스 퍼듀 연구재단 이사장 △에린 이스터 웨스트라피엣 시장 등 미국 측 인사와 △조현동 주미 한국 대사 △김정한 주시카고 총영사 등 한국 측 인사가 참석했다. SK그룹에선 △유정준 미주 대외협력 총괄 부회장 △곽노정 SK하이닉스 대표 △최우진 SK하이닉스 부사장(P&T 담당) 등이 함께 했다.
 
SK하이닉스는 오는 2028년 하반기부터 인디애나 공장에서 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. 회사는 "SK하이닉스는 "웨스트라피엣 시설을 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나주에 건설하는 생산기지와 연구개발 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다.
 
생성 AI 열풍이 불면서 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 처리장치와 메모리, 또는 메모리와 메모리를 결합하는 첨단 패키징 기술의 중요성이 매우 커졌다고 SK하이닉스 측은 설명했다.

SK하이닉스는 AI 메모리 시장 주도권을 이어가기 위해 미국에 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해 왔다. 미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중되어 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다.

이에 SK하이닉스는 다양한 후보지를 검토한 끝에 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 주 정부가 투자 유치에 적극 나섰고, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라도 풍부하기 때문이다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있는 점도 높은 평가를 받았다.

에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나 주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다.

토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다.

멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나 주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다.

곽노정 SK하이닉스 대표는 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 "반도체 업계 최초로 AI용 첨단 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"며 "이번 투자를 통해 SK하이닉스는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하고 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체와 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.

SK하이닉스는 미국 투자와 별도로 기존에 계획한 국내 투자도 차질 없이 추진할 것이라고 밝혔다. SK하이닉스는 120조원을 투자해 용인 반도체 클러스터에 반도체 생산 시설을 세우고 있다. SK하이닉스는 2025년 3월 용인 클러스터에 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공하고, 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발과 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설할 계획이다. 미니팹이란 반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설을 말한다.