삼성전자가 플래시 메모리에 대한 끊임없는 연구·개발(R&D)로 세계 정상급 학술지에 논문을 게재했다.
삼성전자는 14일 반도체 뉴스룸을 통해 학술지 ‘어드밴스드 머트리얼스(Advanced Materials)’에 플래시 메모리 저장 원리 관련 논문을 게재했다고 밝혔다. 제 1저자 및 교신저자로 CSE팀 내 최운이 씨가 참여했고, 공동저자로 CSE팀 내 김대신 상무, 권의희 DE, 손원준 파트장과 SAIT(옛 종합기술원) 양승열 마스터와 오영택 씨가 이름을 올렸다.
삼성전자 혁신센터의 CSE(Computational Science and Engineering)팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다.
CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체의 공정, 메모리를 비롯한 다양한 소자의 전기적 특성, 소재의 다양한 특성 등 시뮬레이션을 담당하는 부서다.
이들이 집필한 논문은 그 우수성을 인정받아 재료공학 분야의 세계 정상급 학술지인 Advanced Materials에 게재됐다는 게 회사 측 설명이다. 이번 연구로 그동안 간과했던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의의가 있다.
그간 업계에서는 원자 수준에서 플래시 메모리의 근본적인 저장 메커니즘 관련 최근까지도 논쟁과 연구가 지속해 왔다.
또한 V낸드도 세대를 거듭하며 고도의 미세화가 필요한 만큼 원자 수준에서 일어나는 현상의 근본적인 이해는 향후 메모리 개발 혁신을 위해 필요한 과정으로 여겨졌다.
비정질 실리콘 질화물에 전자를 안정적으로 잡아 두는 것이 저장 원리인데, 구체적인 내용을 이번 연구에서 밝혀낸 것이다.
CSE팀 관계자는 “그동안 간과해 왔던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의미가 있다”며 “엔지니어들이 기존 데이터를 새로운 시각으로 바라보며 다양한 경험을 쌓는다면 플래시 메모리 미세화의 한계를 극복할 수 있는 좋은 결과가 있을 것”이라고 말했다.