삼성전자, 세계 최고 용량 '8세대 V낸드' 양산 개시
2022-11-07 11:00
삼성전자가 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산을 개시했다고 7일 밝혔다.
삼성전자 '1Tb TLC 8세대 V낸드'는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다. 비트 집적도(Bit density)는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 의미한다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 이는 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상된 수준이다. 또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나간다는 방침이다.
삼성전자는 이번 8세대 V낸드에 이어 2년 뒤인 2024년 9세대 V낸드를 개발해 양산할 계획이라고 구체적 로드맵을 제시한 상태다. 또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다고 포부를 밝혔다. 이는 종전 176단인 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장할 수 있는 제품이다.
이 같은 삼성전자의 반도체 개발은 글로벌 경쟁 기업과 '기술 초격차'를 유지하겠다는 전략으로 분석된다. 이재용 삼성전자 회장은 이달 초 회장으로 취임하면서 기술 초격차 유지와 미래 성장동력 확보에 중점을 두겠다고 밝히기도 했다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수를 높이고 이에 대한 기반 기술도 확보했다"며 "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다.
삼성전자 '1Tb TLC 8세대 V낸드'는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다. 비트 집적도(Bit density)는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 의미한다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 이는 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상된 수준이다. 또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나간다는 방침이다.
삼성전자는 이번 8세대 V낸드에 이어 2년 뒤인 2024년 9세대 V낸드를 개발해 양산할 계획이라고 구체적 로드맵을 제시한 상태다. 또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다고 포부를 밝혔다. 이는 종전 176단인 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장할 수 있는 제품이다.
이 같은 삼성전자의 반도체 개발은 글로벌 경쟁 기업과 '기술 초격차'를 유지하겠다는 전략으로 분석된다. 이재용 삼성전자 회장은 이달 초 회장으로 취임하면서 기술 초격차 유지와 미래 성장동력 확보에 중점을 두겠다고 밝히기도 했다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수를 높이고 이에 대한 기반 기술도 확보했다"며 "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다.
삼성전자의 8세대 V낸드 [사진=삼성전자]