삼성전자가 최선단 반도체 공정에서 대만 TSMC를 앞설 파운드리 로드맵을 발표했다. 세계 최초 게이트올어라운드(GAA) 기술 기반 3나노(㎚·10억분의 1m) 양산을 발표한 지 약 4개월 만이다. 업계에서는 2030년까지 시스템반도체 글로벌 1위를 달성하겠다는 '시스템반도체 2030' 목표를 위해 박차를 가하고 있다는 분석이 나온다.
 
삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 이 같은 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 3년 만에 오프라인으로 열린 이날 행사에는 팹리스 고객, 협력사, 파트너 등 500여 명이 참석했다.
 
향후 △파운드리 기술 혁신 △응용처별 최적 공정 제공 △고객 맞춤형 서비스 △안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 계획이다.
 
GAA 기반 공정 기술 혁신을 통해 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입한다. GAA는 3D 구조의 핀펫(FinFET)을 넘는 차세대 트랜지스터 구조 기술이다. 앞서 지난 6월에는 세계 최초 GAA 기반 3나노 1세대 공정 양산을 시작한 바 있다.
 
삼성전자가 1.4나노 양산 계획을 밝힌 것은 이번이 처음이다. 글로벌 파운드리 1위인 TSMC는 1.4나노 공정의 기술 개발을 하고 있지만, 아직 양산 계획은 밝히지 않은 만큼 삼성전자가 최선단 공정에서 앞서게 됐다는 평가가 나온다.
 
특히 3나노 GAA 기술에 삼성의 독자적인 MBCFET(다중가교채널 트랜지스터) 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공하겠다는 게 회사 측 설명이다.
 
2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중도 50% 이상으로 확대한다. 고성능 컴퓨팅(HPC), 차량용 반도체, 5세대 이동통신(5G), 사물인터넷(IoT) 등 고성능 저전력 반도체 시장에 대한 적극적인 공략을 통해서다.
 
또 2027년까지 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대한다. 앞으로는 ‘셸 퍼스트(Shell First)’ 라인을 운영해 시장 수요에 탄력적으로 대응한다는 전략이다.

셸 퍼스트는 클린룸을 선제적으로 건설하고, 향후 시장 수요와 연계한 탄력적인 설비 투자를 말한다. 미국 테일러 파운드리 1라인에 이어 투자할 2라인의 경우 셸 퍼스트에 따라 진행할 계획이다. 

아울러 향상된 성능과 기능, 신속한 납기, 가격 경쟁력까지 갖춘 맞춤형 서비스를 강화해 새로운 팹리스 고객을 발굴하는 한편 하이퍼스케일러(Hyperscaler), 스타트업 등 신규 고객도 적극 유치해 나간다.
 
최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 "고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유"라며 "삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다"라고 말했다.
 
한편 삼성전자는 미국을 시작으로 오는 7일 유럽(독일 뮌헨), 18일 일본(도쿄), 20일 한국(서울)에서 순차적으로 삼성 파운드리 포럼을 개최하고, 지역별 고객 맞춤형 솔루션을 소개할 계획이다. 오프라인 참석이 어려운 글로벌 고객을 위해 오는 21일부터 온라인으로도 행사 내용을 공개한다.