이석희 SK하이닉스 대표 “D램 10나노·낸드 600단 가능”

2021-03-22 11:05
22일 세계전기전자학회 심포지엄에서 기조연설

"향후 D램은 10나노미터 이하 공정에 진입하고, 낸드플래시는 600단 이상 적층도 가능할 것이다."

이석희 SK하이닉스 대표가 메모리 반도체 기술에 대한 자신감을 보였다. 이 대표는 22일 온라인으로 열린 세계전기전자학회(IEEE) 국제신뢰성심포지엄(IRPS)에서 ‘미래 ICT 세상을 향한 메모리반도체 기술의 여정’을 주제로 기조연설을 진행했다.

이 대표는 “ICT 기반 원격교육, 재택근무 등 비대면 활동들이 일상화되면서 최근 데이터 사용량이 급증하고 있다”며 “이에 따라 전 세계 데이터센터 시장은 지속 성장하고 있고, D램과 낸드 수요 또한 대폭 증가할 것”이라고 말했다.

이어 “앞으로 메모리반도체는 정보를 저장하고 처리하는 것 이상의 역할을 수행하며 미래 ICT 세상에서 중심적인 역할을 하게 될 것”이라고 강조했다.

그러면서 이 대표는 올해 SK그룹 전체가 역점을 두고 있는 ‘파이낸셜 스토리’를 공유하고 이를 달성하기 위한 △기술적 가치 △사회적 가치 △시대적 가치 등 경영 전략을 공유했다.

먼저 SK하이닉스는 D램과 낸드의 기술적 진화를 통해 산업의 요구에 부응하는 기술적 가치를 실현하겠다는 목표를 밝혔다. 이를 위해 D램 분야에서 극자외선(EUV)을 도입하고, 낸드 분야에서는 고용량 기술을 실현할 수 있는 에칭(식각) 기술 확보에 집중하고 있다.

사회적 가치는 기술을 이용해 에너지, 질병, 환경 문제 등 다양한 사회 문제 해결에 기여하겠다는 것으로, 하드디스크 드라이브(HDD)를 저전력 SSD로 교체해 달성할 수 있다고 설명했다.

그에 따르면 전 세계 모든 데이터 센터의 HDD를 2030년까지 SSD로 교체할 경우, 4100만t의 온실가스 배출량을 감축할 수 있고, 이를 통해 38억 달러 이상의 사회적 가치를 창출할 수 있다.

마지막으로 디지털 대전환 이후 시대에 부합하는 지능형 메모리 솔루션을 완성하는 시대적 가치를 제시했다. 이 대표는 인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합되는 뉴ICT 시대로 진화할 것으로 예상했다.

이 대표는 “메모리 반도체의 변화에 대응하기 위해 진화의 길과 혁신의 길을 걸어가며 미래를 준비하고 있다”며 “더욱 활발히 연구개발에 매진할 것”이라고 말했다.

한편 IEEE IRPS는 미국, 유럽, 아시아 등 전세계 반도체, 통신, 시스템 등 마이크로 일렉트로닉스 엔지니어와 과학자들이 신뢰성 분야에서 새롭고 독창적인 연구 성과를 공유하는 59년 역사의 권위 있는 프리미어 콘퍼런스다.

 

이석희 SK하이닉스 대표. [사진=SK하이닉스]