이재용 삼성전자 부회장의 2년 전 약속이 하나씩 이뤄지고 있다. 총 30조원 이상이 투입되는 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인이 가동에 들어간다. 삼성전자는 평택 2라인에서 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 차세대 D램을 본격 양산한다. 파운드리(반도체 위탁생산)에 이어 메모리에서도 선단공정 경쟁을 주도한다는 계획이다.

30일 삼성전자는 경기 평택 2라인에서 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램의 양산에 들어간다고 밝혔다.

가동에 들어가는 평택 2라인은 연면적 12만8900㎡로, 축구장 16개 크기에 달하는 세계 최대 규모의 반도체 생산 공장이다. 2018년 8월 이 부회장이 밝힌 경제활성화 계획의 일환으로 건설된 것이다.

당시 이 부회장은 미래성장 기반 구축을 위해 2020년까지 180조원을 투자하고 4만명을 직접 채용하겠다고 밝혔다. 신규 투자액 가운데 130조원을 국내에 투입해 약 70만명 규모의 고용을 창출하겠다는 복안도 내비쳤다.

이 부회장의 약속은 차질 없이 이행되는 중이다. 삼성전자는 지난해까지 시설과 연구개발(R&D) 등에 약 110조원을 투자한 데 이어 올해는 투자 규모를 더 확대한다. 국내 투자의 경우 평택 2라인 투자 금액을 포함해 당초 목표인 약 130조원을 7조원 이상 초과 달성할 것으로 회사 측은 보고 있다.

신규 채용 규모도 지난해까지 3개년 목표치 4만명의 80% 이상을 이미 달성했다. 평택 2라인에서 직접 고용하는 인력만 약 4000명, 협력사와 건설 관련 인력을 포함하면 3만명 이상의 일자리가 창출될 것으로 회사 측은 전망한다.

평택 2라인에서 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음으로 초미세공정 핵심 기술인 EUV가 적용됐다. 기존 제품에 비해 16% 빠르고, 30% 얇게 패키지를 만들 수 있다. 5세대 이동통신(5G) 스마트폰이나 폴더블폰처럼 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션이 될 것으로 회사 측은 기대하고 있다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 파운드리 분야에서도 EUV 도입을 두고 TSMC와 치열한 경쟁을 펼치고 있다. 지난해 세계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 반도체 양산에 성공한 데 이어 올해 2분기부터는 5나노 공정 양산에 돌입하며 업계 1위 TSMC를 맹추격하고 있다. 쫓기는 TSMC도 분주하다. 지난 25일 TSMC는 2나노 공정 건설 계획을 공식화했다. 내년 연구개발(R&D) 센터 운영을 시작으로, 이르면 2023년 양산에 돌입할 것으로 관측된다.