삼성전자가 D램 수준의 빠른 속도와 플래시 메모리의 비휘발성(전원이 꺼져도 데이터 유지) 장점을 결합한 차세대 반도체 솔루션 '내장형 M램(eMRAM·embeded M램)'을 출시했다.

삼성전자는 6일 28나노 '완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI)' 공정을 기반으로 한 내장형 M램의 양산 체제를 가동, 본격적인 출하를 시작했다고 밝혔다.

FD-SOI 공정은 전류가 새는 것을 막기 위해 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌운 것으로, 전력 소모를 줄일 수 있다.

M램은 D램 수준으로 속도가 빠르고 플래시의 비휘발성의 특성도 가진 메모리 반도체다. 소형 전자기기나 차량용 컨트롤러 등이 특정 기능을 수행할 수 있도록 프로그램을 저장할 때 주로 사용된다.

이 두 기술을 합쳐 전기를 적게 소모하면서 속도가 빠르고, 크기가 작고, 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리를 개발했다는 게 회사 측 설명이다.

특히 삼성전자는 시스템 반도체(SoC·System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야의 기술 리더십을 강화했다고 강조했다.

내장형 플래시의 경우 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼 있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거쳐야 하기 때문에 속도와 전력효율 면에서 한계가 있었으나 신제품은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고 기존 내장형 플래시보다 속도도 약 1000배 빠르다는 것이다.

또 데이터를 기록할 때 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나고 구조가 단순해 설계 부담을 줄임으로써 생산비용도 줄일 수 있다.

이로써 삼성전자는 M램 개발을 위시한 차세대 파운드리 사업에서 경쟁업체를 한발 앞서게 됐다.

현재 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC는 내년 말까지 22나노 공정의 내장형 M램을 내놓을 계획이다.

삼성전자는 올해 안에 1기가비트(Gb)급 내장형 M램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속해서 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공할 방침이다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다" 며 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용하여 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것" 이라고 말했다.