하이닉스 '처리 속도 80%↑' 차세대 D램 개발
2011-04-04 10:17
DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램 규격이다.
하이닉스는 업계 선두수준의 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 ECC-SODIMM을 통해 성능을 확인함으로써 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.
이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다는 것이 하이닉스측의 설명이다.
또 2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2기가바이트의 데이터를 1초에 처리할 수 있다. 또한, D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.
하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경∙저전력∙고성능 특성을 모두 만족시켰다”며, “이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것” 이라고 밝혔다.