(아주경제 이하늘 기자) 지난해 7월 양산을 시작한 삼성전자 30나노급 D램이 2분기부터 본격적인 경쟁력을 갖춘다.

삼성전자 김명호 상무는 28일 오후 컨퍼런스콜을 통해 "수율향상에 많은 고비가 있었지만 현재는 많이 개선 됐다"며 "이르면 1분기 말, 2분기부터는 40나노급 D램의 수율을 확보할 수 있을 것"이라고 말했다.

삼성전자는 메모리 업체 중 가장 먼저 30나노급 D램 양산에 돌입했지만 그간 수율문제로 생산량을 크게 늘리지 않아온 것으로 알려졌다. 김 상무 역시 "40나노, 30나노 미세공정으로 갈수록 기술적 문제에 많이 부딪힌다"며 "하지만 이같은 문제를 상당 부분 해소했으며 연말까지 비30나노급 비중을 50% 이상으로 끌러올릴 것"이라고 설명했다.

이로써 삼성전자는 2분기 이후 30나노급 제품의 비중을 본격적으로 늘릴 것으로 보인다. 30나노급 D램은 생산성이 40나노급 대비 60% 상당 향상돼 생산성 및 원가경쟁력을 크게 높일 수 있다. 삼

하이닉스 역시 30나노급 양산을 앞두고 있다. 하이닉스 권오철 사장은 지난 27일 실적설명회에서 "1분기 중 30나노급 D램 양산을 시작해 이르면 2분기 말께 늦어도 하반기에는 의미있는 양산물량을 쏟아낼 수 있을 것"이라고 설명했다.

반면 해외 경쟁사들은 여전히 미세공정에 애를 먹고 있는 것으로 알려졌다. 지난해 40나노급 D램 양산에 돌입한 일본 엘피다와 미국 마이크론은 수율등의 문제로 본격적인 양산을 시작하지 못한 것으로 알려졌다.

업계 고위 관계자는 "경쟁사 제품 양산이 시작되면 해당 제품을 구해 기술분석에 들어가는데 이들 기업의 제품을 시장에서 쉽게 찾을 수가 없다"며 "아직 40나노급 제품을 본격적으로 생산하려면 넘어야 할 장벽이 있는 것으로 알고 있다"고 설명했다.

대만 업체들 역시 대부분 60~70나노급 기술에 머무르고 있는 만큼 올 하반기 이후 국내 D램 업체와 해외 경쟁사의 격차는 더욱 크게 벌어질 전망이다.

아울러 모바일 D램 역시 고객사가 제시하는 품질과 물량을 제대로 소화할 수 있는 곳은 삼성전자와 하이닉스 뿐인 것으로 알려졌다.

익명을 요구한 국내 업계 관계자는 "해외 경쟁사에 물량을 의뢰했던 기업이 제품 품질 등이 기대에 못 미쳐 우리 회사에 다시 제품 구매를 의뢰했다"며 "모바일 D램 역시 진입장벽이 높아 해외 경쟁사들이 쉽게 진입하지 못할 것"이라고 전했다.